2020年8月13日
IGBT
摘要： IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。 在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。 1）当IGBT栅-射极加上加0或负 阅读全文
posted @ 2020-08-13 10:15 Pudl 阅读(556) 评论(0) 推荐(0) 编辑