MOS管基本构造和工作原理
(一)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjE5Ng==.html
(二)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjMwNA==.html
(三)
如下图,如果在门极和衬底之间加垂直电场(注意这个电场并不能在门极和衬底之间形成电流,原因是门极和衬底之间有一层二氧化硅),这个电场会把N型半导体中的多子(空穴)往下推,会把P型半导体中的少子(自由电子)往上吸,这样就会形成左边箭头指的反型层,相当于在两口井之间形成导电沟道,这个沟道把两口井连在了一起,这个时候如果再在漏源(D-S)之间加电场,就导电了。
源极和衬底之间默认是连接的。
N沟道P型衬底
P沟道N型衬底
符号记忆方法:箭头方向是内电场方向(非外加电场),外加电场与内电场方向相反。