[原]无损有源钳位吸收

PSU的效率要求越来越高，但是开关器件的发展却有些拖后腿；鄙人认为，PSU效率优化的核心是在变压器设计，其次便是使用更为理想的开关器件。12V输出类的PSU输出必然使用同步整流管（SR mosfet）,SRfet目前基本已经做到极限，60V 1.45mOhm //40V 1.05mOhm// 45V 1.1mOhm。对于BUCK类的拓扑，如何选用更地耐压的SRfet是一个很值得讨论的技术方面；当然，SRfet的选取对与匝比（增益）有关，输入电压范围有关，etc...不再赘述！

基本面的趋势是：电压等级越低的SRfet的特性越理想，如何能做好SRfet的stress吸收，是选用更为理想SRfet的前提。鄙人看法，能在低压侧（二次侧）的完成的吸收就不要在高压侧（一次侧）实现，主要原因：高压器件特性比较差，能量对电压关系是二次项关系，成本压力较大；变压器是功率传导元件，对于能量是瞬时传输，效率较高，在二次侧与一次能完成能量吸收。

单纯从技术的角度讲，对于一个好的吸收电路必须满足两个基本点：

1. 保证能够在任何条件下，均能有效吸收电压stress，本质上就是在每个周期均能控制好吸收电容上的电压，即吸收电容电压复位；

2.希望能够做到能量无损；

3.尽量简单，包括电路和控制方法；

 

吸收的本质是对漏感能量的乾坤大挪移，即漏感（含反向恢复）能量转移至吸收电容，接着是采用哪种方法对吸收电容进行电压复位：吸收电阻，有源变换器，或者集成变换器等等，下面介绍一种变换器，分离器件构成：Cc, Qa, Dc, Qd, La, Da

这个电路的本质是利用La对吸收电容Cc的能量进行转移，然后再由Da续流至出路，本质上是一个类FLYBUCK的工作过程；其实，stress的形成与吸收只是各种谐振电路不断切换，能量不断转移的过程。

Below waveform got in PSFB circuit, Vin:360Vdc, Turn ratio:27:1, Load condition:70A;

下图CH4 SRfet Vds; CH1 SRfet driver; CH2 Primary current;

二次侧平台电压为：26.7V 在250MHz的探头带宽下，测得的SRfet Vds stress 31.4V，电压stress控制在5V；从一次侧电流波形看没有任何振荡；

这个电路的工作过程就不再赘述，同行一看便知，同时上传一份传统有源吸收的专利。

PSU的道路上不进则退，抓住现象看本质，共勉！

安，老木鸟！