【Hunted Horror】mini_m8051w系统调试完成

小有成就的一件事，自己纯手工，基本没有参考别人的代码，只是参考了一些思想，除了51的core用的是mentor的，其他东西都是自己和之前的自己积累下来的东西，硬件代码独立完成。框图如下：

整个memory的地址映射关系如下表：

PBUS
ROM2KX8	0x0000~0x07FF
SRAM1KX8	0x2000~0x23FF
EFLASH32KX8	0x8000~0xFFFF
XBUS
SRAM1KX8	0x3000~0x33FF

比较新鲜的东西其实没有什么，memory全部使用同步逻辑的memory，加入的gpio是由于功能的需要（后面会有介绍）。只是在eflash_ctrl上多花了点心思进行调试。下面来详细说说这玩意，这个大概花了我半个多月功夫调出的东西。

首先从系统级上来讲，本系统可完成的功能是通过两个GPIO的输入作为选择，可以选择功能，如下表所示

port0_0	1	down mode
	0	normal mode
port0_1	1	info block select
	0	data block select

上电过程结束，reset过程结束时，当port0_0为1，则开始进入down程序的过程，是通过串口来down，程序需要满足的要求是以0x42， 0x45， 0x4c， 0x42这4个头字节开始，也以这4个同样的尾字节结尾才可以正常的down入到挂载在ebus接口写操作的32kx8的eflash里面。down的过程则是串口接收到其实的4个头字节之后，直到收到4个尾字节，将中间的数据先全缓存到XBUS上的SRAM1KX8中，之后在通过EBUS分次写入eflash中。

而port0_1来区分是写入info_block还是data_block。

当port0_0为0的时候，就通过ljmp 08000h直接跳转到eflash所在的程序区，执行所down进去的程序。

值得一提的是，最初始的版本，我操作eflash的动作不对，因为对eflash进行写，只能将对应的bit从1->0，而0->1的动作需要erase来完成，结果犯2了我，对eflash中数据写入的时候没有erase的操作，导致对应的写数据操作写入的时候原来是0的bit不能写成1，数据就都错了，那程序也当然执行不正确了。所以在写入的之前一定要对想要写入的page进行erase的动作才能保证写入的正确（我为了简便起见，没有这么区别，只是写之前直接进行macro的erase操作）。

现在的版本，一次down入的数据量最大就是1KX8，收到XBUS上SRAM的限制，而且只能down到从0x8000开始的地址区块中，不过反正是小练习，也不打紧的。既然可以将程序down入了，那么挂外设，对对应的程序进行修改就不必要每次都对ROM里的初始化代码进行修改，重新为了改程序而重新跑FPGA了。对，就是很方便。