NAND flash坏区

计算容量

厂家所说的4G指的是4 000 000 000字节，是按1000进制计算的，而电脑是按照1024进制计算的，所以标称为4G的NAND Flash理论容量是4 000 000 000 / 1024 / 1024 / 1024 = 3.72529G。

有无坏区的影响

所有的Flash都有坏区，只要起始地址没坏，Flash就可以正常使用。存储区如果有损坏，是会被自行替换的，无需用户参与。
至于其它容量的Flash，按照相同的算法，都可以算出相应的理论容量。