摘要：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来 阅读全文
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转： http://www.360doc.com/content/11/0915/10/7715138_148381804.shtml在进行数据存储的时候，我们需要保证数据的完整性，而NAND Flash大容量存储器K9F1G08U芯片由于工艺上问题，不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的，就是用块擦除命令也是无法擦除的，K9F1G08U数据手册也讲了坏块是存在的，对于K9F1G08U最多有20个坏块。如果数据存储到这个坏块中，就无法保证该数据存储的完整性。对于坏块的管理K9F1G08U数据手册也有它的方法去处理该坏块的方法，我根据实际经验总结出自己的一种方法。首先我们要定义 阅读全文
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转：http://m.blog.csdn.net/blog/woshixiongge/9017149 Nand Flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听 记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此 擦除操作是闪存的基本操作。 S3C2410的Nand Flash控制器有一 阅读全文
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转：http://blog.csdn.net/zhaocj/article/details/5795254nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区，main区用于 阅读全文
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转：http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html0.NAND的操作管理方式NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes，除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。 关于OOB区，是每个Pag 阅读全文
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转：http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035[-]前言NorFlash和NandFlash启动方式NorFlash与NandFlash型读写的基本单位不同NorFlash和NandFlash容量与成本对比NorFlash和NandFlash可靠性对比NorFlash和NandFlash寿命对比使用上差异如何抉择补充知识点 SPI Flash[摘要]：作为一个嵌入式工程师，要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知。本文通过从启动方式、读写方式、容量成本、可靠性、寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比。任何事物 阅读全文
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为了不影响其他的虚拟网卡，我们在VMware下在添加一块虚拟网卡： 然后点击Next，选择连接方式： 点击Finish即可。 重新启动虚拟机，如果这是你手动添加的第一块虚拟网卡，那么应该是eth1。 配置eth1的ip信息 可以看到，VMnet1的type就是Host-only，我们看一下他的DHCP setting... 阅读全文