摘要：
Flash型号：NandFlash型号：TC58NVG2S3ETA00pagesize: 2KBoobsize : 64Bblocksize : 128K关于ECC可以参考：http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html，其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法，而这里的512B跟它的方法类似。这里有一个EXCEL表格，它是对下面将要分析的算法的动态演示，只需要更改其中的16*16的表格中的数字，相应的ECC会自动计算出来。我将结合EXCEL和代码一块解释。#include #include #include #include #in 阅读全文
摘要：
相对于操作NandFlash，操作NorFlash相对简单，因为基本不需要考虑坏块，NorFlash也没有OOB区域，也跟ECC没有一毛钱关系。它的读写擦除相对容易。int dealwithnor(){// glob_t mtdbuf; struct mtd_info_user mtd; struct erase_info_user erase; int blocks = 0; int i = 0; //用于控制擦除的块的个数 int k = 0; int written = 0; //已写入的字节数，只初始化一次 unsigned int ... 阅读全文
摘要：
以TC58NVG2S3ETA00为例：下面是它的一些物理参数：图一图二图三图四图五图6-0图6-1说明一下，在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局，其中Data区域用于存放有效的数据，也就是我们可以通过类似read、write、pread、pwrite可以访问的区域，那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的，他们会自动跳过OOB区域，访问OOB区域需要借助特殊的命令。简单说明一下：Data A(512B)对应的ECC校验码存放在ECC for Data A(4 byte)中，OOB A （8byte) 对应的ECC校验码存放在紧接着的下 阅读全文