摘要: 转:http://www.cnblogs.com/snowsolf/p/3325235.html在Linux下做算术运算时你是如何进行的呢?是不是还在用expr呢?你会说我还会bc还有其它的呢!闲话不多扯,干正事!exprexpr在使用中要注意一些书写,如表达式中量和运算符号之间的空格及一些运算符号需要转义,还有一点需要记住,expr只适用于整数之间的运算!表达式expr的help文档中关于表达式部分如下: ARG1 | ARG2 若ARG1 的值不为0 或者为空,则返回ARG1,否则返回ARG2 ARG1 & ARG2 若两边的值都不为0 或为空,则返回ARG1... 阅读全文
posted @ 2013-09-16 21:19 摩斯电码 阅读(688) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转:分区只是内核的概念,就是说A~B地址放内核,C~D地址放文件系统,(也就是规定哪个地址区间放内核或者文件系统)等等。1:在内核MTD中可以定义分区A~B,C~D。。。。。。并予以绝对的地址赋值给每个分区。我们可以来看看在内核中是怎样来对MTD进行分区的:arch\arm\plat-s3c24xx\common-smdk.cstatic struct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = {[0] = {.name= "Boot",.size= SZ_16K,.offset= 0,},[1] = {.name= "S3 阅读全文
posted @ 2013-09-16 18:56 摩斯电码 阅读(3412) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来 阅读全文
posted @ 2013-09-16 17:19 摩斯电码 阅读(1056) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转: http://www.360doc.com/content/11/0915/10/7715138_148381804.shtml在进行数据存储的时候,我们需要保证数据的完整性,而NAND Flash大容量存储器K9F1G08U芯片由于工艺上问题,不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的,就是用块擦除命令也是无法擦除的,K9F1G08U数据手册也讲了坏块是存在的,对于K9F1G08U最多有20个坏块。如果数据存储到这个坏块中,就无法保证该数据存储的完整性。对于坏块的管理K9F1G08U数据手册也有它的方法去处理该坏块的方法,我根据实际经验总结出自己的一种方法。首先我们要定义 阅读全文
posted @ 2013-09-16 16:40 摩斯电码 阅读(821) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转:http://m.blog.csdn.net/blog/woshixiongge/9017149 Nand Flash是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听 记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此 擦除操作是闪存的基本操作。 S3C2410的Nand Flash控制器有一 阅读全文
posted @ 2013-09-16 16:37 摩斯电码 阅读(498) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转:http://blog.csdn.net/zhaocj/article/details/5795254nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于 阅读全文
posted @ 2013-09-16 16:32 摩斯电码 阅读(480) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html0.NAND的操作管理方式NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。 关于OOB区,是每个Pag 阅读全文
posted @ 2013-09-16 16:11 摩斯电码 阅读(10640) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转:http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035[-]前言NorFlash和NandFlash启动方式NorFlash与NandFlash型读写的基本单位不同NorFlash和NandFlash容量与成本对比NorFlash和NandFlash可靠性对比NorFlash和NandFlash寿命对比使用上差异如何抉择补充知识点 SPI Flash[摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知。本文通过从启动方式、读写方式、容量成本、可靠性、寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比。任何事物 阅读全文
posted @ 2013-09-16 15:19 摩斯电码 阅读(982) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 为了不影响其他的虚拟网卡,我们在VMware下在添加一块虚拟网卡: 然后点击Next,选择连接方式: 点击Finish即可。 重新启动虚拟机,如果这是你手动添加的第一块虚拟网卡,那么应该是eth1。 配置eth1的ip信息 可以看到,VMnet1的type就是Host-only,我们看一下他的DHCP setting... 阅读全文
posted @ 2013-09-16 09:43 摩斯电码 阅读(3592) 评论(0) 推荐(0) 编辑