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摘要:提高访存速度的措施 采用高速器件 sdram(synchronous Dram 同步dram) 在系统时钟的控制下进行读写,cpu无需等待 支持猝发 rdram 解决带宽问题 带cache的dram 里面集成了一个sram组成的cache有利于猝发 采用层次结构 cache+主存 调整主存结构 1.
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摘要:总线判优控制 \(\large\begin{cases}集中式\begin{cases}链式查询\\计数器定时查询\\独立请求查询\end{cases}\\分布式\end{cases}\) 缺点: 对电路故障敏感:如果链中的任何一个设备出现问题,都可能导致整个链失效,因为请求信号需要通过每个设备。
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摘要:双总线结构 三总线结构 1.DMA形式 2.Cache形式 四总线结构 现实总线结构举例 传统微型计算机总线结构 VESA(VL-BUS)形式 PCI形式 多层PCI
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摘要:存储器校验 存储过程中可能出现差错,所以要进行存储校验。 编码最小距离 \(L-1=D+C\hspace{0.5cm}D\geq C\) 可通过Hamming code纠错 Hamming code 检测位数的确定 设欲检测的二进制代码为 n 位,为了使其具有纠错能力,需要增加 k 位检测位,组成
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摘要:存储容量拓展 单片芯片存储容量有限,所以需要连接若干芯片组成,足够容量存储器 1.位拓展 片选法:将 \(\overline{WE}和\overline{CS}连接在一起\) 2.字拓展 将 \(\overline{WE}\) 连接在一起,\(\overline{CS}则通过译码器等方式译码连接\)
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摘要:Read-only memory ROM 主要用于存储那些在系统运行期间不需要更改的数据,例如固件、引导程序、配置信息 ROM类型 MROM(掩模型rom) 通过行列交叉处是否存在mos管来区分0,1 Programmable ROM (可编程ROM) 通过熔丝通断来区分0,1 往往只能实现一次编程
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摘要:Memory overview 一.Categories 1.存储介质(storage media)进行分类 Semiconductor(半导体) Memory :TTL,MOS \(\leftarrow volatile\) 磁表面存储器:磁头、载磁体 磁芯存储器:硬磁材料、环状原件 光盘存储器:
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摘要:BUS(总线) Fundamental Concepts: 各个部件共享的传输介质,连接部件的信息传输线 Physical Implementation of the Bus:Mainboard 模式: 互连缺点,占用空间大,不利于拓展; Bus Architecture:总线结构 Single B
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摘要:冯诺依曼机特点 存储程序 五个部分 运算器,控制器,存储器,输入设备,输出设备 运算器为核心 指令数据混合存储 底层为二进制存储 指令分为操作码和地址码 缺点:抽象(abstract)层次不清晰,运算器限制大。 cpu还包括寄存器组(Register File) 数字电路设计3Y原则 Hierarc
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