MOSFET 功率半导体
小结:
1、
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可;或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
看完这篇,请不要再说不懂MOSFET!--科普知识 http://www.ime.cas.cn/icac/learning/learning_2/202203/t20220318_6400106.html
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功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ,具有很高的战略地位,下面我们从一张图看功率器件的全貌:
认识MOSFET
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好; 制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路;
(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。
(2)根据不同的工艺又分为
Trench MOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内;SGT (Split Gate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内;SJ MOS:超结MOS,主要在高压领域 600-800V;
在开关电源中,如漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理(详细请关注作者其他MOS详解)。
从 市场份额看,MOSFET几乎都集中在国际大厂手中,其中英飞凌2015年收购了IR(美国国际整流器公司)成为行业龙头,安森美也在2016年9月完成对仙童半导体的收购后,市占率跃升至第二,然后销售排名分别是瑞萨、东芝、万国、ST、威世、安世、美格纳等等;
与活跃于中国大陆的国际厂商相比,国产企业优势不明显,但这不能说国产没有机会,中国大陆是世界上产业链最齐全的经济活跃区,在功率半导体领域活跃着一批本土制造企业,目前已基本完成产业链布局,且处于快速发展中;特别是MOSFET领域,国产在中低压领域替换进口品牌潜力最大,且部分国产、如士兰、华润微(中航)、吉林华微等都在努力进入世界排名;主流MOS管品牌
MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、国产。美系:英飞凌、IR,仙童,安森美,ST,TI ,PI,AOS美国万代半导体等; 日系:东芝,瑞萨,ROHM罗姆等; 韩系:美格纳,KEC,AUK,森名浩,信安,KIA 国产:吉林华微电子股份有限公司,扬州扬杰电子科技股份有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司,华润微电子(重庆)有限公司,无锡新洁能,西安后裔,深圳锐俊半导体,无锡华润华晶微电子有限公司,江苏东晨电子科技有限公司(前身东光微),东微半导体,威兆半导体,苏州硅能,无锡市芯途半导体有限公司 国产台系:ANPEC,CET,友顺UTCMOS管封装分类
按照安装在PCB板上的方式来划分,MOS管封装主要有两大类: 插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有:双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。SOP-8封装尺寸
SO-8为PHILIP公司率先开发,采用塑料封装,没有散热底板,散热不良,一般用于小功率MOSFET。 后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。主流企业的封装与改进
由于CPU的低电压、大电流的发展趋势,对MOSFET提出输出电流大,导通电阻低,发热量低散热快,体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外,也不断改进封装技术,在与标准外形规格兼容的基础上,提出新的封装外形,并为自己研发的新封装注册商标名称。1、瑞萨(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-I封装 WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装,通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上,通过主板散热,使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET,减小布线电感。内部封装改进方向
除了外部封装,基于电子制造对MOS管的需求的变化,内部封装技术也在不断得到改进,这主要从三个方面进行:改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。1、封装内部的互连技术 TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术,当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代,焊线式的SO-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。总结
未来,随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展,MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变,以更好适应制造业的发展需求。另外,为降低电子制造商的选用门槛,MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显,产品将从性能、成本等多维度协调发展。而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一,不同的电子产品有不同的电性要求,不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选用中,应在大原则下,根据实际需求情况来做抉择。 有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度,如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装;在有些ACDC的电源中,使用超薄设计或由于外壳的限制,适于装配TO220封装的功率MOS管,此时引脚可直接插到根部,而不适于使用TO247封装的产品;也有些超薄设计需要将器件管脚折弯平放,这会加大MOS管选用的复杂度。如何选取MOSFET 一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指标是“最大”或是“典型”值,因为有些数据表并没有说清楚。电压等级 确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅极短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25℃下的绝对最高电压”,但是一定要记住,这个绝对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白,最高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如,如果你在电压30V并带有100mV、5ns尖峰的电源里使用30V器件,电压就会超过器件的绝对最高限值,器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下,MOSFET的可靠性没法得到保证。 在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%~20%的降额因子。在一些设计里,考虑到实际的击穿电压比25℃下的额定数值要高5%~10%,会在实际设计中增加相应的有用设计裕量,对设计是很有利的。 对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的最大RDS(on)条件下,能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因,而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是,你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的电压,来使MOSFET完全导通。例如,用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通,你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。导通电阻,栅极电荷,以及“优值系数” MOSFET的导通电阻总是在一个或多个栅源电压条件下确定的。最大RDS(on)限值可以比典型数值高20%~50%。RDS(on)最大限值通常指的25℃结温下的数值,而在更高的温度下,RDS(on)可以增加30%~150%,如图1所示。由于RDS(on)随温度而变,而且不能保证最小的电阻值,根据RDS(on)来检测电流不是很准确的方法。