NADN flash的读写

注意：
1）有的  NAND flash 芯片在读的时候，R/B 引脚为忙状态时，需要  CS 片选信号为低，
     而有的需要为高，或者无关。如果这个没有设置正确，可能不能够正确读写数据。
2）flash 的 page 的大小有的为  512 字节，有的为 2048 字节。
3）NAND flash 发送地址的周期，也不相同，有的为  3 个周期，有的为 4 个周期。
4）在写页时，需要首先发送  0x00 ，0x01 或者 0x50 命令，设置芯片内的寄存器，
    否则可能不能够写进数据，而返回的状态却为正确状态。


#define CLX_NAND_DATA_PORT  ((unsigned char *)0xb4000000)
#define CLX_NAND_CMD_PORT   ((unsigned char *)0xb4040000)
#define CLX_NAND_ADDR_PORT  ((unsigned char *)0xb4080000)



//#define NAND_128M

static int clx_nand_write_page(int col, int page, char *buf, int num)
{

    int i , state;

4）在写页时，需要首先发送  0x00 ，0x01 或者 0x50 命令，设置芯片内的寄存器，
    否则可能不能够写进数据，而返回的状态却为正确状态。
#ifndef  NAND_128M
    writeb(0x00, CLX_NAND_CMD_PORT);
#endif
    // ctrl  CE pin
    //clx_hwcontrol(NULL, -1, 0);
    // send command  write page
    writeb(0x80, CLX_NAND_CMD_PORT);
//    ndelay(10);
    // set column 0x00
    writeb(col&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
#ifdef NAND_128M
    writeb((col>>8)&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
#endif
    // set page addr, 2 cycle
    writeb((page&0xFF), CLX_NAND_ADDR_PORT);
    writeb((page>>8)&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
//    ndelay(100);
    for(i = 0; i < num; i++)
    {
        writeb(buf[i], CLX_NAND_DATA_PORT);
    }
//    ndelay(100);
    // send command end write page
    writeb(0x10, CLX_NAND_CMD_PORT);
    // wait R/B ready.
    while(!(REG_EMC_NFCSR & 0x80))
    {
        printk("REG_EMC_NFCSR = %02x.\n", REG_EMC_NFCSR);
    }
    // send command read write state
    writeb(0x70, CLX_NAND_CMD_PORT);
    state = readb(CLX_NAND_DATA_PORT);
    printk("write state = %02x.\n",state);

    return 0;


}

static int clx_nand_read_page(int col,int page, char *buf, int num)
{
    int i;
    // test first send 0x00 cmd
    //writeb(0x00, CLX_NAND_CMD_PORT);

    // ctrl  CE pin
    //clx_hwcontrol(NULL, -1, 0);
    // send command
    if(col < 255){
    writeb(0x00, CLX_NAND_CMD_PORT);
    }else{
    writeb(0x01, CLX_NAND_CMD_PORT);
    }
    ndelay(100);
    // set column 0x00
    writeb(col&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
    ndelay(100);
#ifdef  NAND_128M
    writeb((col>>8)&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
#endif

    // set page addr, 2 cycle
    writeb((page&0xFF), CLX_NAND_ADDR_PORT);
    ndelay(100);
    writeb((page>>8)&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
    ndelay(100);

#ifdef  NAND_128M
    // send command
    writeb(0x30, CLX_NAND_CMD_PORT);
#endif

    udelay(100);

    // wait R/B ready.
    while(!(REG_EMC_NFCSR & 0x80))
    {
        printk("REG_EMC_NFCSR = %02x.\n", REG_EMC_NFCSR);
    }
    // read data
    for(i = 0; i < num; i++)
    {
        buf[i] = readb(CLX_NAND_DATA_PORT);
    }
    printk("read %d bytes.\n",i);
    ndelay(100);

    return 0;

}

static int clx_erease_block(int block)
{
    int state;
    // test first send 0x00 cmd
    writeb(0x00, CLX_NAND_CMD_PORT);

    // ctrl  CE pin
    //clx_hwcontrol(NULL, -1, 0);
    // send command
    writeb(0x60, CLX_NAND_CMD_PORT);
//    ndelay(100);
    // send block addr, 2 cycle
    writeb((block&0xFF), CLX_NAND_ADDR_PORT);
    writeb((block>>8)&0xFF, CLX_NAND_ADDR_PORT);
    // send erase command 2 0xD0
    writeb(0xD0, CLX_NAND_CMD_PORT);

    ndelay(100);

    // wait R/B ready.
    while(!(REG_EMC_NFCSR & 0x80))
    {
        printk("REG_EMC_NFCSR = %02x.\n", REG_EMC_NFCSR);
    }

    // send command read erase state
    writeb(0x70, CLX_NAND_CMD_PORT);
    state = readb(CLX_NAND_DATA_PORT);
    printk("erase state = %02x.\n",state);
    return 0;

}

static int clx_nand_read_id(void)
{
    int maf_id, dev_id ;
    // ctrl  CE pin
    //clx_hwcontrol(NULL, -1, 0);
    // send command
    writeb(0x90, CLX_NAND_CMD_PORT);
    // set column 0x00
    writeb(0x00, CLX_NAND_ADDR_PORT);

    ndelay(100);
    // wait R/B ready.
    while(!(REG_EMC_NFCSR & 0x80))
    {
        printk("REG_EMC_NFCSR = %02x.\n", REG_EMC_NFCSR);
    }
    maf_id = readb(CLX_NAND_DATA_PORT);
    dev_id = readb(CLX_NAND_DATA_PORT);
    printk("maf_id = 0x%02x, dev_id = 0x%02x.\n", maf_id, dev_id);

    return 0;

}
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