半截蜡笔情

摘要： 输入特性曲线 当Uce=0V时，相当于集电极与发射极短路，因此，输入特性曲线与PN结伏安特性曲线类似。 当Uce增大时，曲线将右移。这是因为由于发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大而减小，因此要获得同样的Ib就必须加大 阅读全文

摘要： 折线化伏安特性 二极管的微变等效电路 其中rd=26mV/ID 稳压二极管 稳定电压Uz：在规定电流下稳压二极管的反向击穿电压。 稳定电流Iz：Iz是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变差甚至不稳压。固Iz也叫Izmin。只要不超过额定功率，电流越大，稳压效果越好。 额定功耗P 阅读全文

摘要： 最大整流电流If If是二极管长期运行时允许通过的最大平均整流电流 最大单向工作电压Ur Ur是二极管工作允许外加的最大方向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常Ur为Ubr的一半。 反向电流Ir Ir是未击穿时的反向电流，Ir越小，二极管的单向导电性越好。Ir对温度非常敏感。 最高工 阅读全文

摘要： PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时，外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，PN结导通。PN结的压降只有零点几付，所以在其回路里应串联一个电阻。 PN结加反向电压 当PN结加反向电压时，外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止了扩散运动的进 阅读全文

摘要： P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 阅读全文