三极管深度饱和分析
摘要：
三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不... 阅读全文
posted @ 2015-07-21 20:14 半截蜡笔情 阅读(1086) 评论(0) 推荐(1) 编辑