三极管内部载流子的运动,输入输出的特性曲线，内部构造

 

输入特性曲线

   当Uce=0V时，相当于集电极与发射极短路，因此，输入特性曲线与PN结伏安特性曲线类似。

   当Uce增大时，曲线将右移。这是因为由于发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大而减小，因此要获得同样的Ib就必须加大Ube，使发射区注入更多的电子。然而，集电极收集电子的能力也有限。

                                      

 

 输出特性曲线

   对于每一个确定的Ib都有一条曲线，所输出曲线是一族曲线。对于某一条曲线，当Uce从0逐渐增大时。集电结电场随之增强，收集基区非平衡少子的能力逐渐增强，因而Ic就越大。当Uce增大到一定程度时，集电结电场以将基区非平衡少子的绝大部分收集到集电区来，Uce再增大，收集能力已不能明显提高。

                                     

   截止区：发射结电压小于开启电压，且集电结反偏

   放大区：发射结正偏，集电结反偏。对于共射极电路，Ube>Uon且Uce>=Ube。此时，ic几乎仅仅决定于ib，而与Uce无关，表现出Ib随ic的控制作用。                          Ic=βIb。

   饱和区：发射结正偏，集电结正偏。对于共射极电路，Ube>Uon且Uce<Ube。。此时，Ic不仅仅与Ib有关，而且明显随着Uce增大而增大，Ic小于βIb。在时基               电路中，若晶体管的Uce增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区域。对于小功率管，可以认为当Uce=Ube，即                       Ucb=0V时，晶体管处于临界饱和状态。

 

P型三极管的内部构造 

     基区杂质很低且很饱，集电区面积很大，发射极高掺杂。