[IC]Lithograph(0)半导体制造的基本过程
1. 晶圆片 Wafer
晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
半导体行业从图1到图2，是一个所谓为的“点石成金”的行业：
这就是现实版的炼金术师，当然最完美的炼金成品的背后是最优美的炼金配方。半导体制造也是如此，我们先从半导体的基底材料的制作谈起。基底制造又以以硅晶圆片为例，它的制造经过了一下几个过程： 二氧化硅 ——> 粗硅 ——> 多晶硅 ——> 单晶硅 ——> 硅晶圆片。
- 二氧化硅 ——> 粗硅
- 工业上将碳将普通硅砂还原成粗硅。 C + SiO2 ——> Si + CO2, 但粗硅中一般还含有铁、铝、碳、磷、硼、铜等。
- 粗硅 ——> 多晶硅
- 粗硅需要进一步提纯，一般用氯化氢（HCl）等到纯度更高的多晶硅。
- 多晶硅 ——> 单晶硅
- 单晶硅是将对晶硅经单晶炉拉制而成的。将需提纯的多晶硅和根据需要掺杂的杂质剂放入坩埚中熔化，然后慢慢拉制成单晶硅棒。
- 单晶(single crystal)是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体；多晶硅(polysilicon,Polycrystalline silicon),由很多小的硅晶体醉成的材料，它不同于用于电子和太阳能电池的单晶硅，也不同于用于薄膜设备和太阳能电池的非晶硅。
- 单晶根据晶体生长法制作分为 1. 借由柴可夫斯基法(Czochralski)，将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。 2. 浮区法(Floating zone)，可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。
- 柴可夫斯基法:石英(quartz)制作的大坩埚(crucible)盛满多晶硅，再把这个装置放置到一个真空腔(vacuum chamber)中，密闭好之后再注入惰性气体一般为氩(argon)。如图3所示：
- 图3.单晶体炼制炉结构示意图 图4. 柴可夫斯基法单晶体制作流程
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柴可夫斯基法: 之后，整个过程为 多晶硅熔融melting of polysilicon ——> 引入母晶并开始晶体生成Introduction of the seed crystal and Beginning of the crystal growth ——> 拉伸晶体crystal pulling ——> 由熔融的多晶硅拉制出单晶硅棒Formed crystal with a residue of melted silicon 如图4所示。
- 单晶硅 ——> 硅晶圆片
- 首先，将拉制好的单晶硅棒头部和尾部切掉，再用机械对其进行修整，形成直径合适并有一定长度的“单晶硅棒”。
- 把“单晶硅棒”切成一片一片薄薄的圆片，这些圆片再经过一系列工艺处理后，一片片完美的硅晶圆片就制造出来了。
2. 集成电路设计
图5. 集成电路设计流程图 图6. 集成电路物理链路设计流程图
3. 半导体器件制造
wiki上关于半导体制造的步骤列表如下：
- 芯片处理
- 湿洗
- 平版照相术
- 光刻
- 离子移植
- 蚀刻（干法刻蚀Dry etching 、湿法刻蚀Dry etching、等离子蚀刻 Plasma etching）
- 热处理
- 快速热退火
- 熔炉退火 Furnace anneals
- 热氧化
- 化学气相沉积 (CVD) Chemical vapor deposition
- 物理气相沉积 (PVD)
- 分子束外延 (MBE)
- 电化学沉积 (ECD)，见电镀
- 化学机械平坦化 (CMP)
- 芯片测试（检验电气特性）
- 晶背研磨（减小芯片的厚度，使得到的芯片能被嵌入较薄的器件中，像是智能卡或PCMCIA卡。）
- 晶粒制备 Die preparation
- 芯片组装
- Die cutting
- 集成电路封装 IC packaging
- Die attachment
- IC Bonding
- Wire bonding
- Flip chip
- Tab bonding
- IC encapsulation
- Baking
- Plating
- Lasermarking
- Trim and form
4. 光刻
半导体制造是一个综合精密的过程，这里只简要介绍一下光刻的基本过程，如图7所示：
图7.光刻的基本流程图
