Fujitsu铁电存储器(FRAM)技术优点

非挥发性内存像EPROM、EEPROM和FLASH能在断电后仍保存资料，但由于所有这些内存均起源自只读存储器(ROM)技术，所以您不难想象得到它们都有不易写入的缺点，确切的来说，这些缺点包括写入缓慢、有限次写入次数、写入时需要特大功耗等等。
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

FRAM第一个最明显的优点是FRAM可跟随总线(BusSpeed)速度写入，若比较起EEPROM/Flash的最大不同的是FRAM在写入后无须任何等待时间(NoDelayTMWrite)，而EEPROM/Flash须要等3~10毫秒(mS)才能写进下一笔资料。

铁电存储器(FRAM)的第二大优点是近乎无限次读写。当EEPROM/Flash只能应付十万次(10的5次方)至一百万次写入时，新一代的铁电存储器(FRAM)已达到一百亿个亿次(10的10次方)的写入寿命。

铁电存储器(FRAM)的第三大优点是超低功耗。EEPROM的慢速和高电流写入令它需要高出FRAM2,500倍的能量去写入每个字节。

Fujitsu FRAM铁电存储器有串行I2C和SPI接口以及并行接口三种方式：
1.串行接口：
串行I 2C接口，串行SPI接口
常见型号：MB85RC1MT、MB85RC512T、MB85RC256V、MB85RC128A、MB85RC64TA、MB85RC64A、MB85RC64V、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC04、MB85RC04V
MB85RS2MT、MB85RS1MT、MB85RS512T、MB85RS256B、MB85RS128B、MB85RS64T、MB85RS64V、MB85RS64、MB85RS16。

2.并行接口：
常见型号：MB85R8M1TA、MB85R8M2TA、MB85R8M2T、MB85R4M2T、MB85R4001A、MB85R4002A、MB85R1001A、MB85R1002A、MB85R256F