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Nios II系统外扩FLASH

Posted on 2009-05-07 15:48  路漫漫...  阅读(1553)  评论(1编辑  收藏  举报

这几天一直在调试外部存储器,也积累了一些经验和教训,养成良好的习惯,将这些记录下来。我用的FLASH是AM29LV160DB-90EC,主要管教功能:

A地址线

DQ数据线

DQ15/A-1如果是字(16位)读写模式,该位作为数据最高位,如果是字节(8位)读写模式,该位作为地址最低位,在我的电路中采用字节读写模式,所以作为地址最低位。

CE片选信号

OE输出使能信号

RESET复位信号

BYTE选择8位还是16位读写模式,低电平是8位。

RY/BYReady/Busy输出

DQ15/A-1,即字模式下数据的bit15和字节模式下地址线的bit0
字模式下地址为A22:A0共23位
字节模式下地址为A22:A0,A-1共24位

使用字模式,也就是16位的数据线是,如果指定20位宽的地址总线,SOPC Builder会产生21位的地址总线,不要觉得奇怪,avalon的最低位A0应空着不用,A20:A1对应FLASH芯片的A19:A0

如果是字节模式,那么avalon的最低位A0应接FLASH的DQ15/A1,A1接FLASH的A0...

这两种方式我都试过了,用flash programmer都能成功将软件下载进外部FLASH