曾经跟微电子，打过的擦边球，
曾经跟微电子，打过的擦边球，现以不从，不接受它了。
| 曾经，膜拜过他的专利！ | |||
| 申请号 | 申请日 | ||
| 发明 | 201210265532.9 | 2012-07-27 | 一种LDMOS栅极的制作方法及产品 |
| 发明 | 201010608139.6 | 2010-12-16 | P型高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺 |
| 发明 | 201010178394.1 | 2010-05-17 | 制造包括齐纳二极管的金属氧化物半导体集成电路的方法 |
| 发明 | 201010203008.X | 2010-06-10 | 一种齐纳二极管及其制造方法 |
| 发明 | 201210151130.6 | 2012-05-15 | 一种BCD集成器件及其制造方法 |
| 发明授权 | 200910243212.1 | 2009-12-29 | 一种光刻技术中实现对准偏差测量的装置和方法 |
| 发明 | 201010100575.2 | 2010-1-22 | 一种P沟道耗尽型MOS晶体管及其制备方法 |
| 发明 | 201110432344.6 | 2011-12-21 | 一种加厚压焊块的制作方法 |
| 发明 | 201210401337.4 | 2012-10-19 | 一种制造P型轻掺杂漏区的方法 |
| 发明 | 201210387415.X | 2012-10-12 | 一种阈值电压调节方法 |
| 实用新型 | 201320598229.0 | 2013-09-26 | 横向高压半导体器件及其多阶场板 |
| 实用新型 | 201320393332.1 | 2013-7-3 | 横向晶体管 |
工艺流程中，常用简称。
| LAS_MAK | 激光打标 | 39 | GOI_BNK | 进bank | 77 | COD_BNK | 进入bank |
| NWL_IMP1 | N阱注入1 | 40 | VTN_PHO | VTN(N管开启电压)光刻 | 78 | ROM_PHO | ROM(存储器)光刻 |
| INT_OXI | 初始氧化 | 41 | VTN_IMP | N管开启电压注入 | 79 | ROM_IMP | ROM注入, |
| PAD_OXI1 | 垫氧,起缓冲作用. | 42 | VTG_IMP | VT(开启电压)注入 | 80 | ILD_DEP | BPTEOS淀积 |
| SDG_DEP1 | SDG (MOS管的源,栅,漏) 淀积1 | 43 | PFI_PHO2 | P场光刻2 | 81 | ILD_FLW | ILD是第一层隔离介质回流 |
| SDG_PHO1 | SDG 光刻1 | 44 | PFI_IMP2 | P场注入2 | 82 | SIN_RMV1 | 去除氮化硅 |
| SDG_ETC1 | SDG 蚀刻1 | 45 | SAC_RMV | 去除牺牲氧化层 | 83 | GOX_OXI1 | 栅氧生长 |
| HMK-DEP | 硬掩模淀积 | 46 | GOX_OXI | MOS管的栅氧化层 | 84 | VTP_PHO | P管VT(开启电压)光刻 |
| TRN_PHO | 沟槽光刻 | 47 | SDG_IMP | MOS管的源漏注入 | 85 | VTP_IMP | P管VT(开启电压)注入 |
| HMK_ETC | 硬掩模蚀刻 | 48 | PO1_DEP | 多晶硅淀积 | 86 | VTP_ANL | P管VT退火,在注入之后 |
| TRN_ETC | 沟槽蚀刻 | 49 | PO1_DOP | 多晶硅搀杂 | 87 | CT1_PHO | 孔层光刻 |
| TRN_RND | 沟槽圆滑蚀刻 | 50 | DPL_DEP | 搀杂多晶硅淀积 | 88 | CT1_ETC | 孔蚀刻 |
| NWL_PHO | N阱光刻 | 51 | DPL_ETB | 搀杂多晶硅蚀刻 | 89 | CT1_IMP | 孔注入 |
| NWL_IMP | N阱注入 | 52 | WSI_SPU | 钨化硅溅射 | 90 | CT1_FLW | 回流, |
| PWL_PHO | P阱光刻 | 53 | PO1_PHO | 多晶硅层涂胶,为了去除不用的地方 | 91 | CTL_ETC | 孔蚀刻 |
| PWL_IMP | P阱注入 | 54 | PO1_ETC | 多晶硅蚀刻 | 92 | CTN_IMP | N管孔注入 |
| WEL_DRV | 推阱 | 55 | NLD_IMP | N管浅层注入 | 93 | CTP_PHO | P管孔光刻 |
| PAD_OXI2 | 垫氧2 | 56 | BDY_OXI | 场氧化层 | 94 | CTP_IMP | P管孔注入 |
| SDG_DEP2 | SDG淀积2 | 57 | BDY_PHO | 场光刻 | 95 | MT1_SPU | 溅铝 |
| SDG_PHO2 | SDG 光刻2 | 58 | BDY_IMP | 场注入 | 96 | MT1_TIN | 1铝层氮化钛淀积 |
| SDG_ETC2 | SDG 蚀刻2 | 59 | BDY_DRV | 场驱入 | 97 | MT1_ALY | 1铝合金 |
| PFI_PHO1 | P场光刻 | 60 | PLD_PHO | P管浅层光刻 | 98 | MT1_PHO | 1铝光刻 |
| PFI_IMP1 | P场注入 | 61 | PLD_IMP | P管浅层注入 | 99 | MT1_ETC | 1铝蚀刻 |
| FLD_OXI | 场氧,起隔离器件作用 | 62 | SPA_DEP | 侧墙淀积 | 100 | PAS_DEP | 护层淀积 |
| RNG_PHO | 场环光刻 | 63 | SRC_PHO | 源区光刻 | 101 | PAS_PHO | 护层光刻 |
| RNG_IMP | 场环注入 | 64 | SRC_ETC | 源区蚀刻 | 102 | PAS_ETC | 护层蚀刻 |
| RNG_ETC | 场环蚀刻 | 65 | SRC_IMP | 源区注入 | 103 | PAS_ALY | 护层合金 |
| RNG_DRV | 场环推进 | 66 | SRC_DRV | 源区驱入或退火 | 104 | PAS_DEP2 | 护层淀积 |
| SDG_PHO3 | SDG 淀积3 | 67 | SPA_ETC | 侧墙蚀刻 | 105 | PAS_PHO2 | 护层光刻 |
| SDG_ETC3 | SDG 光刻3 | 68 | NSD_PHO | N管(N管的源漏)光刻 | 106 | PAS_ETC2 | 护层蚀刻 |
| PAD_OXI3 | 垫氧3 | 69 | NSD_IMP | N管的源漏注入,以形成N管 | 107 | OQC1 | QRA 检验 |
| JFT_IMP | JFT 注入 | 70 | PSD_PHO | P管(P管的源漏)光刻 | 108 | WAT-TES | WAT 测试 |
| JFT_DRV | JFT 推进 | 71 | PSD_IMP | P管的源漏注入,以形成N管 | 109 | BAK_GRD | 背面减薄 |
| DBY_PHO | DBY 光刻 | 72 | RPL_DEP | P+ 反打区淀积 | 110 | BAK_IMP | 背面注入 |
| DBY_IMP | DBY 注入 | 73 | RPL_PHO | P+ 反打区光刻 | 111 | BAK_MET | 背面背金 |
| DBY_DRV | DBY 推进 | 74 | RPL_ETC | P+ 反打区蚀刻 | 112 | CPT_TES | CP 测试 |
| SIN_RMV | 去除氮化硅 | 75 | RPL_OXI | P+ 反打区氧化 | |||
| SAC_OXI | 牺牲氧化层 | 76 | SDA_DRV | 源,漏驱入或退火 |
