关于内存，你不得不知道的事情
本文翻译自一篇老师推荐的博文 （非直译，有删减）原文地址：http://www.pcguide.com/ref/ram/tech.htm
lz水平有限，若有翻译不周的地方请指正。
DRAM（动态随机存取存储器） 技术
DRAM技术支持许多不同的技术领域。而这些技术的核心都是相似的。他们的区别主要在于DRAM是如何被组织以及如何被访问的。随着处理器变得越来越快，内存也需要在速度和效率方面做出改进与革新。许多研究存储器的公司发明了革新的内存架构让内存运行地更快。
现实生活中，众多DRAM技术的区别不是那么显著。在现代的PC机上，处理器大多数的数据访问需求都可以用一级和二级高速缓存来满足，这让DRAM技术的改进很难表现出来。而且，内存的性能只占了总性能的一部分。通常，内存的数量是比内存的速度更加影响计算机性能的。
而且也请牢记在心，在骨子里，DRAM就是DRAM。众多DRAM技术的简称基本上都是来自于DRAM模型是如何耦合，配置和寻址的，在硬件上加上特殊的改进电路的技术除外。例如许多时髦的技术包括SRAM（cache）是直接从DRAM内部来改进性能的。
DRAM 技术以及相关性能
决定内存类型是否能用在主板上最重要的元素是系统芯片组。通过查询主板的文档，我们可以知道该主板支持什么类型的内存。
通常，我们想用在主板支持范围内的最快的内存，而且这种内存并不是贵的离谱。有些人浪费很多钱去追求比其他种类快几个百分点的内存，实际上他们可以把这笔钱花在买更多的内存条上。追求这种新潮技术的花费会比买老式内存条多的多，而且这样只带来了微乎其微的性能改进。
关于最新内存技术能够有效提高性能的说法有两个值得商榷的理由。首先，二级高速缓存的使用会掩盖很多快速内存的优势。由于只有5%到10%的数据请求是直接通过内存完成的。其次，大部分PC都在猝发模式（burst mode）下运行，并不是在理想的最大传输率下工作。
举个栗子，在1996年，有两款最流行的奔腾芯片组430HX和430VX。其中430VH支持SDRAM而430HX不支持。许多人认为430VH的性能更加好，因为SDRAM在理想状态下能够在一个时钟周期内传输内存数据。而430HX则必须使用EDO，在理想状态下需要两个时钟周期来传输内存数据。但到你观察整个周期时，VX的SDRAM是7-1-1-1 而HX的EDO则是5-2-2-2 ，相加后可知后者性能更佳。
传统 DRAM
这是最久远最慢的DRAM技术。它使用标准的内存寻址方法，首先行地址被送到内存中，然后是列地址。这是最没有新意的内存类型，也不需要任何特殊的要求，即兼容性最强。
Fast Page Mode (FPM) DRAM
FPM 比普通的内存要快那么一点。标准的内存要求每次访问都要传送行地址和列地址。FPM则可以传送一次行地址供多次访问，如果这些访问地址是相近的话。FPM内存是分页模式内存（page mode memory）的改进版。而分页模式的内存现在已经很少见了。
FPM的速度在现代PC总算是很慢的。唯一的优点应该就是兼容性比较好，没有特殊的要求。但是对于频率高于66MHz的高速内存总线是不支持的。
Extend Data Out (EDO) DRAM
最常见的异步DRAM技术。由于在内存访问方面做出了革新的改进，其速度要比FPM要快一些。简要的说就是EDO在定时电路上做出了改进使得对内存的访问可以开始在上一次访问结束之前。在第五代和第六代系统中，EDO技术都行业标准。而现在SDRAM取代了它的位置。EDO也不能用于高速内存总线，由于它和FPM差不了多少。EDO需要从系统芯片组中得到支持才能使用。有些老式的计算机不能使用EDO，有些则把它当做FPM来使用。
Synchronous DRAM (SDRAM)
一种新型的RAM，与其他早期类型最大的不同在于它与系统时钟不是异步运行的。SDRAM“紧贴”着系统时钟，并且能够在猝发模式(burst mode)下以每次访问只花费1个时钟周期的代价读写内存。（不存在等待状态）。SDRAM能够支持100Mhz甚至更高的的内存总线速率。在提供支持的芯片组下，它的系统周期是5-1-1-1。他使用了一系列内部的性能改进技术，包括交叉存储技术（interleaving），该技术可以实现当一半的模块在结束访问内存的同时另一半能够开始访问内存。即增加带宽（bandwidth）。
SDRAM迅速成为了现代PC的内存标准，原因在于它的同步系统时钟的设计支持更高的总线速度。但在许多系统中，SDRAM比起EDO并没有额外提供很高的“真实”性能。由于系统的高速缓存一定程度上遮盖了内存访问速度的差异，并且现在许多系统的频率低于66MHz或者他们的总线速度很低。当100MHz的总线成为PC的主流时，SDRAM将大范围取代老旧的技术。
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