了解单片机的内存

 

导读：

　　在单片机选型的时候，总要看看资源有多少，外设资源，flash大小，RAM的大小等等，其中flash和RAM大小，直接关系到程序，所以这篇来说说单片机里面的内存。

 

内存的分类（RAM、ROM和FLASH）：

RAM：Random Access Memory，随机存取存储器。特点，断电后数据会丢失。是单片机CPU运算时临时数据存储介质。

　　RAM分为两种，SRAM（static 静态随机存取存储器）和DRAM（dynamic 动态随机存取存储器）。

　　SRAM：特点：电路不刷新，数据可以一直保持，读写速度非常快，缺点是价格贵。

　　DRAM：特点：保留数据时间短，需要每隔一段时间刷新一次，否则数据会消失，这就需要额外一个驱动刷新的电路，缺点是电路复杂，优点是价格便宜。

　　所以一般的单片机，容量不大，用的都是SRAM，像DDR RAM,SD RAM等大的存储则使用DRAM。

 

ROM：Read-Only Memory，只读存储器，特点，断电后数据不会丢失。在单片机中是保存程序。

　　正常来说，只读存储器是只能读，不能写。最开始也是这样的，不过经过时代的发展，变成了可读可写，但是ROM的名字一直没有变，所以翻译也一直沿用下来了，但实际上现在大部分用的都是可读可写的。

　　最开始是，PROM：Programmable ROM，可编程只读存储器，只能出厂的时候写一次；

　　EPROM：Erasable Programmable ROM，可擦除可编程只读存储器，可以多次写入，但是擦除时需要紫外线长时间照射，因为需要先擦除才能写入；

　　EEPROM：Electrically Erasable Programmable ROM，带电可擦除可编程只读存储器，直接可以按字节进行读写。

 

FLASH：Flash Memory，闪存，结合了ROM和RAM的长处，广义上也可以说是ROM，是可擦除可编程的存储器，因为flash简化了电路，数据密度更高，成本更低，不同与EEPROM是不能以字节为最小单位擦除。

　　同时flash的特性是，只能把1写为0，不能把0写为1，操作flash的时候，都是先要擦除才能写，不然数据会错乱。 

 

FLASH也分为两种Nor（或非） Flash和Nand（与非） Flash。

　　Nor Flash：地址、数据总线是分开的，擦除单位是扇区或者块，读写可以最小按照字节，组成结构一般是字节，页，扇区，块。读取速度快，擦除速度慢，价格较贵。

　　Nand Flash：地址、数据总线共用，擦除单位是块，读写最小按照页，组成结构一般是页，扇区，块。读取速度慢，擦除速度非常快，价格便宜。

　　Nand Flash和Nor Flash比较：Nand Flash的电路更加简单，价格也相对便宜，但是操作数据也是相对比较大，所以一般大型的存储器，比如硬盘、U盘用的是Nand Flash。

　　Nor flash可以进行字节寻址，所以CPU可以直接从nor flash中取出数据。而nand flash是最小以页为单位读写，数据就需要先加载到RAM中，再由CPU中执行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

 

　　目前使用的在单片机上，大部分用的是Nor Flash和SRAM，有些也带有EEPROM，但一般都比较小。

内存在芯片中的分布：

　　 

这个一款华大的32位单片机HC32F005。

可以看出来最大地址是0xFFFF_FFFF，说明地址总线是32位的，有很多地址没有使用，是保留的。

其中FLASH最大32KB，地址从0x0000_0000到0x0000_8000；

SRAM最大4KB，地址从0x2000_0000到0x2000_1000。

 

　　 

这是一款赛元的8位单片机SC92F8547，

其中有EEPROM（128bytes），FLASH ROM（32KB），RAM（256bytes）还有外部RAM，LCD RAM。

从中可以看出地址大部分都是从0开始，不像上面的32位单片机内存地址是串行的，由此就可以推断出，这里是做了扩展，地址总线应该是16位。

看手册描述，是通过不同指令，来寻找不同的地址。

 

关于单片机内存，这篇就先讲到这。