摘要: 为大家简要提供下“ST 微控制器STM32L4R9VIT6,STM32L4R9ZIJ6,STM32L4R9AII6芯片”的产品规格信息。 货源方面请和明佳达电子联系。 1、STM32L4R9VIT6 微控制器 LQFP-100 芯片 规格 核心处理器:ARM® Cortex®-M4内核规格:32-位 阅读全文
posted @ 2020-12-01 11:57 mingjiada 阅读(431) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 接下来为大家介绍三款收发器芯片,并且附带它们的规格信息。 型号1、TLT9255WLC 一般规格 产品种类::CAN 接口集成电路RoHS:: 详细信息安装风格::SMD/SMT封装 / 箱体::TSON-14类型::高速 CAN 收发器数据速率::5MB/s激励器数量::1接收机数量::1电源电压 阅读全文
posted @ 2020-11-06 13:59 mingjiada 阅读(504) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、IRF7480MTRPBF晶体管 场效应MOS管 规格 FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):217A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大 阅读全文
posted @ 2020-10-27 14:14 mingjiada 阅读(297) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 下面是从网上查询到有关LAN8810-AKZE驱动器,PEX8648-BB50RBCF模拟开关,PI7C9X2G612GPCNJE接口芯片产品规格资料,仅供参考。 1、LAN8810-AKZE 驱动器 接口 - 收发器 规格 类型:收发器协议:GMII驱动器/接收器数:4/4双工:完全版数据速率:- 阅读全文
posted @ 2020-10-27 13:51 mingjiada 阅读(275) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 全型号:MR20H40CDFR MR25H40MDFR MR25H40VDFR 简型号:MR20H40CDF MR25H40MDF MR25H40VDF 产品类型:非易失存储器 1、MR20H40CDFR MR20H40CDF 非易失存储器 规格 存储器类型:非易失存储器格式:RAM技术:MRAM( 阅读全文
posted @ 2020-10-20 11:39 mingjiada 阅读(551) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、线性稳压器 TPS79801QDGNRQ1 TI 原装 SOP8 规格 输出配置:正输出类型:可调式稳压器数:1电压 - 输入(最大值):50V电压 - 输出(最小值/固定):1.275V电压 - 输出(最大值):28V电压降(最大值):0.55V @ 50mA电流 - 输出:50mA电流 - 阅读全文
posted @ 2020-10-19 11:48 mingjiada 阅读(400) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、ISPLSI2064VE100LTN100,ISPLSI2064VE-100LTN100 复杂可编程逻辑器件 产品规格 可编程类型:系统内可编程延迟时间 tpd(1) 最大值:10ns供电电压 - 内部:3V ~ 3.6V逻辑元件/块数:16宏单元数:64栅极数:2000I/O 数:64工作温度 阅读全文
posted @ 2020-10-15 17:52 mingjiada 阅读(213) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 产品简介: STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还 阅读全文
posted @ 2020-10-13 11:54 mingjiada 阅读(924) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、STM32H725IGK6 32位 微控制器 BGA-176 规格 核心处理器:ARM® Cortex®-M7 内核规格:32-位 速度:550MHz 连接能力:CANbus,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF, 阅读全文
posted @ 2020-10-13 10:57 mingjiada 阅读(467) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、L26-DR模块 2、 IGBT模块:GD1200SGT120A3S 额定电压:1200V 额定电流:1200A 电路结构:单芯片系列:IGBT中功率电源模块 3、C2M0040120D 晶体管 1200V 参数 FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1200V 阅读全文
posted @ 2020-09-21 14:30 mingjiada 阅读(398) 评论(0) 推荐(0) 编辑