摘要: 1、RG500Q-EA 是物联网无线通讯模组5G通讯模块。 介绍:RG500Q 是一款专为IoT/M2M 应用而设计的5G Sub-6 GHz LGA 封装模块。采用3GPP Release 15 技术,最高下行速度可达2.5 Gbps,最高上行速度可达900 Mbps。同时支持5G NSA 和SA 阅读全文
posted @ 2020-09-21 11:14 mingjiada 阅读(1975) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、TR-ONE-AS / TERARANGER ONE 距离传感器模块 介绍: Terabee发布新款低成本测距传感器TeraRanger Eve,同时它的质量非常轻、尺寸非常小,可以适应各种无人机设备。产品易用性,始终是TeraRanger系列传感器的重要特征,TeraRanger Evo当然也 阅读全文
posted @ 2020-09-16 10:39 mingjiada 阅读(421) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 下面由我来介绍下有关“NEO-M8N-0-10接收器模块 10022671-102LF和10026846-101LF连接器件”具体的产品规格信息,资料均来源于网络,内容非原创,仅供参考。 1、u-blox NEO-M8N-0-10 北斗双模GPS芯片/模块 产品规格 频率:1.575GHz 灵敏度: 阅读全文
posted @ 2020-09-15 17:40 mingjiada 阅读(807) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、矩形连接器 - 针座,公插针 型号:S2B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN) 产品规格 连接器类型:接头 触头类型:公形引脚 间距 - 配接:0.059"(1.50mm) 针位数:2 排数:1 排距 - 配接:- 加载的针位数:所有 样式:板至电缆/导线 护罩:带遮蔽 - 4 墙 安装类型: 阅读全文
posted @ 2020-09-05 09:41 mingjiada 阅读(3411) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 提供连接器DX07P024AJ1R1500,AYF530865T,AYF352525,AYF530665T的资料,仅供参考,产品规格来源于网络,非原创。 1、USB、DVI、HDMI 连接器 型号:DX07P024AJ1R1500 规格 连接器类型:USB-C(USB TYPE-C) 触头数:24 阅读全文
posted @ 2020-09-04 14:38 mingjiada 阅读(182) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、型号:6TPB470M 中文规格 电容:470µF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V 类型:模制 ESR(等效串联电阻):35 毫欧 @ 100kHz 工作温度:-55°C ~ 105°C 不同温度时使用寿命:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2917(7343 公制) 大小 / 尺 阅读全文
posted @ 2020-09-04 12:19 mingjiada 阅读(356) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 为广大商友提供MT53B768M32D4NQ-062WT:B存储器,2N3904TF晶体管和UJWIFI026振荡器具体的中文规格信息,资料来源于网络,内容非原创,仅供参考。 1、24Gb 易失存储器 型号:MT53B768M32D4NQ-062WT:B 规格 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 阅读全文
posted @ 2020-09-03 13:54 mingjiada 阅读(285) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、卡边缘连接器 - 边缘板连接器 型号:PCIE-036-02-F-D-TH 中文规格 卡类型:PCI Express™ 公母:母头 针位/格/排数:- 针位数:36 卡厚度:0.062"(1.57mm) 排数:2 间距:0.039"(1.00mm) 读数:双 特性:板导轨 安装类型:通孔 端接: 阅读全文
posted @ 2020-09-03 11:43 mingjiada 阅读(202) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、逻辑器件 - 转换器,电平移位器 型号:GTL2003PW 规格信息 转换器类型:电压电平通道类型:双向电路数:1每个电路通道数:8电压 - VCCA:.8V ~ 5.5V电压 - VCCB:.8V ~ 5.5V输入信号:-输出信号:-输出类型:开路漏极数据速率:-工作温度:-40°C ~ 85 阅读全文
posted @ 2020-08-31 12:05 mingjiada 阅读(248) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 下面是产品信息,资料来源于网络,内容非原创,仅供参考。 1、 30A MOS管 场效应管 型号:AON7534 规格资料 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),30A(Tc) 驱动电压(最大 阅读全文
posted @ 2020-08-31 11:33 mingjiada 阅读(1367) 评论(0) 推荐(0) 编辑