摘要：
W25Q512JV（512M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。 阅读全文
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W631GG6NB是1G位DDR3 SDRAM，组织为8，388，608字，8个存储体，16位，适用于各种应用。 阅读全文
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MxSMIO™双工系列不仅提供单I/O，还提供具有双传输速率（DTR）模式操作的四I/O接口，可提供高达400MHz的快速数据传输速率，使其成为业界最快的串行闪存。 阅读全文
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RX66T系列是基于第三代RXv3 CPU内核的旗舰32位RX MCU，主频高达160MHz。 阅读全文
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RX140产品是RX100系列中处理性能最强、功耗最低的微控制器。可以广泛应用于家用电器、工业控制和楼宇自动化等领域。 阅读全文
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1、简介 InnoSwitch™3-EP系列IC极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造，尤其是那些需要高效率和/或紧凑尺寸的产品。InnoSwitch3-EP系列将初级和次级控制器以及安全额定反馈集成到单个IC中。’ InnoSwitch3-EP系列器件集成了多种保护功能，包括线路过压和欠压保护、 阅读全文
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基于四核ARM Cortex-A7内核，RV1126、RV1109、RV1103、RV1106新一代人工智能视觉芯片 阅读全文
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iPhone15Pro拆解曝光，电池容量3274mAh，A17Pro芯片没有标识 阅读全文
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S27KL0642DPBHV023、S27KL0642DPBHV020、S27KL0642DPBHA020、S27KL0642DPBHI020伪静态随机存储器(PSRAM) HyperRAM™ 是具备HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 阅读全文
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RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。 阅读全文