新产品，基于1200 V 碳化硅的功率模块NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2（产品规格）
1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模块，在F1封装中包含10 mohm / 1200 V SiC MOSFET半桥和一个氧化铝(AL2O3) DBC热敏电阻。SiC MOSFET开关采用M3S技术，由18V-20V栅极驱动。
规格：
配置：Half-Bridge
下降时间：15 ns
高度：12.35 mm
Id-连续漏极电流：105 A
长度：63.3 mm
最大工作温度：+ 150°C
最小工作温度：- 40°C
安装风格：Chassis
通道数量：2 Channel
封装 / 箱体：PIM-18
封装：Tray
Pd-功率耗散：272 W
产品：SiC MOSFET Modules
产品类型：MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻：14.5 mOhms
上升时间：15 ns
系列：NXH010P120M3F1PTG
工厂包装数量：28
子类别：Discrete and Power Modules
技术：SiC
晶体管极性：N-Channel
类型：Power Module
典型关闭延迟时间：98 ns
典型接通延迟时间：23 ns
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.4 V
宽度：34.1 mm
2、NVXK2PR80WXT2是一款1200V 80mΩ 31A全桥电源模块，带温度传感和最低热阻，适用于DC-DC和xEV车载充电器。
规格
配置：Full-Bridge
下降时间：9 ns
高度：5.8 mm
Id-连续漏极电流：31 A
长度：44.2 mm
最大工作温度：+ 175°C
最小工作温度：- 55°C
安装风格：Through Hole
通道数量：4 Channel
封装 / 箱体：APM-32
封装：Tube
Pd-功率耗散：208 W
产品：SiC Power Modules
产品类型：MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻：116 mOhms
上升时间：12 ns
系列：NVXK2PR80WXT2
工厂包装数量：60
子类别：Discrete and Power Modules
技术：SiC
晶体管极性：N-Channel
类型：Power Module
典型关闭延迟时间：21 ns
典型接通延迟时间：12 ns
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压：- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.3 V
宽度：29 mm
3、NVXK2VR80WDT2是一款1200V 80mΩ 20A 三相桥式电源模块，带PFC温度检测，适用于车载充电器。
规格：
配置：3-Phase Bridge
下降时间：9 ns
高度：5.8 mm
Id-连续漏极电流：20 A
长度：44.2 mm
最大工作温度：+ 175 C
最小工作温度：- 55 C
安装风格：Through Hole
通道数量：6 Channel
封装 / 箱体：APM-32
封装：Tube
Pd-功率耗散：82 W
产品：SiC Power Modules
产品类型：MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻：116 mOhms
上升时间：12 ns
系列：NVXK2VR80WDT2
工厂包装数量：60
子类别：Discrete and Power Modules
技术：SiC
晶体管极性：N-Channel
类型：Power Module
典型关闭延迟时间：21 ns
典型接通延迟时间：12 ns
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压：- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.3 V
宽度：29 mm
1200 V 碳化硅的功率模块NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2—— 明佳达
注：本文部分内容来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
