符合LIN 2.x/SAE J2602标准的MLX80002KLW-CAA-101-RE LIN收发器、CGHV27060MP CGH40006S射频晶体管 GaN HEMT

1、MLX80002KLW-CAA-101-RE 是一个双通道物理层设备，用于使用局域互联网络(LIN)协议的低速车辆串行数据网络通信应用。该器件的设计符合LIN协议规范包2.X的物理层定义和SAE J2602标准。

由于MLX80002在隐性状态下的电流消耗非常低，因此适合具有硬待机电流要求的ECU应用。

特性
符合LIN 2.x/SAE J2602标准
双通道独立增强型主收发器功能
最小的空间(QFN4x4)和最小的外部元件
具有相同封装和尺寸的四路/双路版本，实现成本/空间优化设计
压摆率选择和高速闪光模式
宽工作电压范围VS = 5至27 V
完全兼容3.3V和5V器件
睡眠模式下待机功耗极低，仅为10 A
本地唤醒功能的唤醒输入
远程和本地唤醒源识别
外部元件的控制输出INH
LIN主节点和从节点的集成终端(电阻和去耦二极管)
从机配置中的TxD主超时功能
主机配置中的RxD主超时功能
睡眠定时器
低EME(辐射)和高EMI(抗扰)水平
高阻抗LIN引脚，以防接地或电池故障
增强的ESD鲁棒性

2、CGHV27060MP——60 W; DC至2700MHz; 50 V; 面向LTE和脉冲雷达应用的GaN HEMT

CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4mmx 6.5mm。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。

CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；该晶体管非常适合于A/B类等高效拓扑中平均功率为10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。

规格
晶体管类型：HEMT
技术：GaN
工作频率：2.7 GHz
增益：18.5 dB
晶体管极性：N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Vgs-栅源极击穿电压 ：- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流：6.3 A
输出功率：60 W
最大漏极/栅极电压：-
Pd-功率耗散：-
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QSOP-20
应用：-
类：-
配置：Single
正向跨导 - 最小值：-
闸/源截止电压：-
湿度敏感性：Yes
NF—噪声系数：-
工作温度范围：- 40°C to +90°C
P1dB - 压缩点：-
产品类型：RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻：-
Vgs th-栅源极阈值电压：- 3 V
单位重量：241.200 mg

3、CGH40006S——射频晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 W

CGH40006S 是一款6W 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40006在28V的电压下工作；提供了一个通用的；各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT提供高效率；高增益和宽带宽能力；使CGH40006成为线性和压缩放大器电路的理想之选。

规格
晶体管类型：HEMT
技术：GaN
工作频率：2 GHz to 6 GHz
增益：13 dB
晶体管极性：N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：120 V
Vgs-栅源极击穿电压 ：- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流：750 mA
输出功率：6.9 W
最大漏极/栅极电压：-
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 150°C
Pd-功率耗散：-
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-6
应用：-
配置：Single
开发套件：CGH40006S-KIT
高度：1 mm
长度：3.15 mm
湿度敏感性：Yes
产品：GaN HEMTs
产品类型：RF JFET Transistors
典型关闭延迟时间：-
Vgs th-栅源极阈值电压：- 3 V
宽度：3.15 mm
单位重量：2.898 g

符合LIN 2.x/SAE J2602标准的MLX80002KLW-CAA-101-RE LIN收发器、CGHV27060MP CGH40006S射频晶体管 GaN HEMT —— 明佳达

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