2Gb 256Mx8 KTDM2G3C818BGCEAT KTDM2G3C818BGIEAT(SDRAM) KTM4GH1AHI01 KTM8GL1ASI01 eMMC 5.1存储器

一、DDR3(L) SDRAM概述

SMART’s DDR3(L) SDRAM组件与行业广泛兼容，并提供x8和x16配置。这些1.35v（DDR3L）和1.5V（DDR 3）器件采用标准78和96引脚网格阵列封装，时钟速度为1866 Mbps，密度为1Gb、2Gb和4Gb。

宽/汽车工作范围器件也针对汽车AEC-Q100 2类应用进行了测试和认证。

DDR3(L) SDRAM 存储器系列：
KTDM4G3C618BGCEAT
KTDM4G3C618BGIEAT
KTDM4G3C818BGCEAT
KTDM4G3C818BGIEAT
KTDM2G3C618BGIEAT
KTDM2G3C618BGCEAT
KTDM2G3C818BGCEAT
KTDM2G3C818BGIEAT

芯片参数

商业级：KTDM2G3C818BGCEAT 
类型:：SDRAM - DDR3L
存储容量:：2 Gbit
数据总线宽度:：8 bit
最大时钟频率:：933 MHz
封装 / 箱体:：FBGA-78
组织:：256 M x 8
电源电压-最小:：1.283 V
电源电压-最大:：1.575 V
工作温度:：0°C to +85°C

工业级：KTDM2G3C818BGIEAT
类型:：SDRAM - DDR3L
存储容量:：2 Gbit
数据总线宽度:：8 bit
最大时钟频率:：933 MHz
封装 / 箱体:：FBGA-78
组织:：256 M x 8
电源电压-最小:：1.283 V
电源电压-最大:：1.575 V
工作温度:：-40°C to +85°C

这款2Gb DDR3(L) SDRAM由256 M x 8位组成，是一款1866Mbps组件，采用78引脚FBGA封装。该器件广泛兼容，可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。

2Gb 256Mx8 KTDM2G3C818BGCEAT KTDM2G3C818BGIEAT(SDRAM) KTM4GH1AHI01 KTM8GL1ASI01 eMMC 5.1存储器 —— 明佳达

2、KTM4GH1AHI01 4GB eMMC 5.1

规格
存储容量：4 GB
配置：MLC
顺序读取：170 MB/s
顺序写入：10 MB/s
接口类型：eMMC 5.1
电源电压-最小：1.7 V
电源电压-最大：3.6 V
封装 / 箱体：FBGA-153
工作温度：- 40°C 至 + 85°C

这款4GB eMMC 5.1嵌入式闪存驱动器将高容量NAND闪存与高速多媒体卡(MMC)控制器相结合。eMMC装在一个单一的包装中。这些器件广泛用于消费电子、网络、工业和汽车应用。

3、KTM8GL1ASI01 8GB eMMC 5.1

规格
存储容量：8 GB
顺序读取：245 MB/s
顺序写入：115 MB/s
接口类型：eMMC 5.1
电源电压-最小：1.7 V
电源电压-最大：3.6 V
封装 / 箱体：FBGA-153
工作温度：- 40°C 至 + 85°C

这款8GB eMMC 5.1嵌入式闪存驱动器将大容量MLC NAND闪存与高速多媒体卡（MMC）控制器相结合。eMMC装在一个单一的包装中。这些器件广泛用于消费电子、网络、通信和工业应用。

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