GS61008T-MR IGLT65R025D2 IGLT65R035D2 IGLD65R055D2 CoolGaN™ e-mode 功率晶体管的特征

1、GS61008T-MR：100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管

说明

GS61008T-MR 是一款100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管，具有高电流、低损耗和高开关频率等特性。该晶体管采用 GaNPX® 顶侧冷却封装，具有极低的结壳热阻，适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。

特征
增强型 HEMT – 常闭
超快开关
无反向恢复电荷
具有反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向强度
JEDEC 合格（JESD47、JESD22）
底部冷却
零反向恢复损耗
快速、可控的下降和上升时间
符合 RoHS 3(6+4) 标准

（明佳达）GS61008T-MR IGLT65R025D2 IGLT65R035D2 IGLD65R055D2 CoolGaN™ e-mode 功率晶体管

2、IGLT65R025D2 / IGLT65R035D2：650 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管（PG-HDSOP-16）

介绍

这些GaN功率晶体管可提高高频工作效率。作为CoolGaN™ 650 V G5系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。

特征

650 V e-mode 功率晶体管
超快速开关
无反向恢复电荷
具有反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向耐用性
低动态RDS（开启）
高ESD鲁棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
顶部冷却封装
JEDEC合格（JESD47、JESD22）

3、IGLD65R055D2 650 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管（PG-LSON-8）

概述

IGLD65R055D2 是一款CoolGaN™ 650 V G5功率晶体管，具有极高的效率、功率密度和可靠性。

特征
650 V e-mode 功率晶体管
超快速开关
无反向恢复电荷
具有反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向耐用性
低动态RDS（开启）
高ESD鲁棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
顶部冷却封装
JEDEC合格（JESD47、JESD22）

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