分立器件：STD80N450K6(800V)、STO67N60M6、STO67N60DM6(600V)和650V、STD65N160M9 MDmesh M9 功率MOSFET

1、STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、 83W总功耗、全球RDS(ON) x区域以及全球品质因数(FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用 DPAK (TO-252) A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-252（DPAK）
封装/外壳：TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

特性
超低栅极电荷
全球RDS(ON) x区域
全球FOM（品质因数）
±30V栅极-源极电压
总功率耗散：83W

2、STO67N60x MDmesh功率MOSFET是经过雪崩测试的N沟道功率MOSFET，适用于开关应用。 与上一代产品相比，这些功率MOSFET具有出色的开关性能、低栅极输入电阻以及更低的单位面积RDS (on) 。STO67N60DM6功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，将极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr) 与最有效的开关行为相结合。STO67N60M6功率MOSFET非常适合用于LLC转换器和升压PFC转换器。

STO67N60M6 MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN

STO67N60DM6 MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 23.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN

特性
降低开关损耗(STO67N60M6)
快速恢复体二极管(STO67N60DM6)
低栅极输入电阻(STO67N60M6)
低栅极电荷、输入电容和电阻(STO67N60DM6)
100%经雪崩测试
齐纳保护
极高dv/dt耐受性(STO67N60DM6)
高爬电距离封装(STO67N60M6)
出色的开关性能

分立器件：STD80N450K6(800V)、STO67N60M6、STO67N60DM6(600V)和650V、STD65N160M9 MDmesh M9 功率MOSFET —— 明佳达

3、STD65N160M9 N-channel 650 V, 132 MOHM，20 A MDmesh M9 Power MOSFET
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1239 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：106W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DPAK
封装/外壳：TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

介绍
STD65N160M9 N沟道功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。MOSFET适合用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，它特别适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。

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