小尺寸、设计紧凑的NVTFS4C10NWFTAG、NVTFS5C466NLWFTAG、NVTFS9D6P04M8LTAG（车规级）功率MOSFET

概览

这些功率MOSFET具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗，具有3.3mm × 3.3mm的小尺寸，设计紧凑。MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

特征描述

尺寸小(3.3mm×3.3mm)，设计紧凑
低RDS(on)值，可最大限度地降低导通损耗
低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
具备可湿性侧翼选项
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

器件选型

1、NVTFS4C10NWFTAG 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，47A，7.4mΩ
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.3A（Ta），47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：993 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN

2、NVTFS5C466NLWFTAG 单 N 沟道功率 MOSFET 40V，51A，7.3mΩ
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：880 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：38W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN

3、NVTFS9D6P04M8LTAG 单 P 沟道功率 MOSFET，-40 V, 9.5 mΩ, -64 A
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2312 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN

小尺寸、设计紧凑的NVTFS4C10NWFTAG、NVTFS5C466NLWFTAG、NVTFS9D6P04M8LTAG（车规级）功率MOSFET —— 明佳达

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