（器件）STL33N60DM2 600V MOSFET、STLQ020PU28R低压差稳压器、STEC01PUR电源开关、STC3115IJT电池管理

1、STL33N60DM2 N沟道600 V、0.115 Ohm（典型值）、21 A MDMESH DM2功率MOSFET，采用PowerFlat 8x8 HV封装

这款高压N沟道功率MOSFET是MDMESH™DM2快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr）以及低RDS（on），适用于要求最苛刻的高效率转换器，是桥式拓扑结构和ZVS相移转换器的理想选择。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳：8-PowerVDFN
基本产品编号：STL33

2、STLQ020PU28R 200mA 超低静态电流LDO 稳压器

STLQ020是一款200 mA低压差稳压器，能够在2 V至5.5 V的输入电压范围内工作。
最大负载时的典型压差为160 MV。
超低静态电流（空载时仅为0.3μA）可延长要求超长待机时间的应用的电池寿命。
尽管器件的固有功耗极低，但STLQ020能够提供快速瞬态响应和良好的PSRR性能，这得益于其自适应偏置电路。
ENABLE引脚将STLQ020置于关断模式，将总功耗降至5 nA。
STLQ020设计用于控制静态电流，并在压差操作期间保持低值，有助于进一步延长电池供电设备的工作时间。
它还包括短路恒流限制和热保护。

特点
工作输入电压范围：2 V至5.5 V
输出电流高达200 mA
超低静态电流：
300 nA（典型值）无负载时
100μA典型值负载为200 mA时
辍学条件下的智商控制
超低压差：160 MV（200 mA时）
输出电压精度：室温下2%，全温度范围内3%
输出电压版本：0.8 V至4.5 V，步进50 MV，可调
逻辑控制电子关机
输出放电特性（可选）
内部过流和热保护
温度范围：-40°C至+125°C
封装：DFN6-2x2，SOT323-5L，倒装芯片4

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3、STEC01PUR 带可编程定时器的接地路径安全开关 IC，16VFQFPN

STEC01接地路径安全开关是一款集成式可编程12mΩ电源开关，由基于计时器的电路管理。STEC01配有3个定时器，设计用于中断电源应用的接地路径。这是在最长导通时间后进行的，可在冷却窗口中限制平台重启。其他特性包括最大导通时间可设置为几秒至几百秒以及冷却窗口可编程为1、5和20分钟。STEC01通过3个多级输入引脚加上一个可编程振荡器和一个固定振荡器来设置时序。

特点
输入电压范围：2.2V至5V
12mΩ（典型值） N通道FET RDS(on)
7A连续电流能力
4Hz至5kHz PWM控制信号，30%至100%占空比
电池电源电流：30µA
2个可编程计时器：T1、T3
1个固定计时器：T2
输入欠压闭锁
VFQFPN 3x3x0.9 16L、0.5mm脚距封装

应用
• 电子烟
• 计时/重置电路
• 接地路径保护电路

4、STC3115IJT 带报警输出的燃气表IC，适合手持式应用

STC3115包括实现用于电池监控的低成本电量计所需的硬件功能。STC3115使用电流检测、库仑计数和电池电压的精确测量来估计电池的荷电状态（SOC）。内部温度传感器简化了温度补偿的实施。
警报输出发出低SOC条件的信号，也可以指示低电池电压。警报阈值级别是可编程的。
STC3115提供先进的功能，以确保在所有应用条件下的高性能气体计量。

特性
OptimGauge™算法
0.25%精度电池电压监测
库仑计数器和电压模式气体压力计操作
上电时稳定的初始开路电压（OCV）测量
可编程低电池警报
内部温度传感器
电池交换检测
低功耗：省电模式下45μA，最大2μA在待机模式下
微型封装：1.4 X 2.0 mm 10凸点CSP封装

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