（512M位）W25Q512JVFIM、W25Q512JVBIQ、W25Q512JVFIQ、W25Q512JVEIQ串行闪存提供更高的灵活性和性能

描述

W25Q512JV（512M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双通道/四通道SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，省电模式下功耗低至1µA。所有器件均采用节省空间的封装。

W25Q512JV阵列分为262，144个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q512JV分别具有16，384个可擦除4KB扇区和1，028个可擦除64KB块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。

W25Q512JV支持标准串行外设接口（SPI）、双通道/四通道I/O SPI、四通道外设接口（QPI）以及双传输速率（DTR）：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。使用快速读取双通道/四通道I/O指令时，支持高达133MHz的SPI时钟频率，允许双通道I/O的266MHz（133MHz X 2）时钟速率和四通道的532MHz（133MHz X 4）时钟速率。这些传输速率优于标准异步8位和16位并行闪存。

功能框图

（512M位）W25Q512JVFIM、W25Q512JVBIQ、W25Q512JVFIQ、W25Q512JVEIQ串行闪存 —— 明佳达

规格参数

1、W25Q512JVFIM IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

2、W25Q512JVBIQ存储器 IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-TFBGA（6x8）

3、W25Q512JVFIQ IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

4、W25Q512JVEIQ IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN

SPI / QPI Operations

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