【原】S27KL0642DPBHV023、S27KL0642DPBHV020、S27KL0642DPBHA020、S27KL0642DPBHI020伪静态随机存储器(PSRAM)

一、概述

S27KL0642DPBHV023、S27KL0642DPBHV020、S27KL0642DPBHA020、S27KL0642DPBHI020伪静态随机存储器(PSRAM) HyperRAM™ 是具备HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存储阵列的内部结构类似于DRAM，而外在行为则与SRAM相似。（明佳达供求库存）

DRAM阵列需要定期刷新以保持数据完整性。HyperRAM™可在主机未进行主动读取或写入存储器时，从内部实现DRAM阵列刷新操作。由于主机无需执行任何刷新操作，因此，在主机看来DRAM阵列是静态单元，可以保留数据而无需刷新。所以，HYPERRAM™被称为伪静态随机存储器 (PSRAM) 。

这些低功率、高性能、低引脚数pSRAM适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。

二、器件规格

1、S27KL0642DPBHV023 IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：36ns
访问时间：36 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

2、S27KL0642DPBHV020 伪静态随机存储器(PSRAM)-HyperRAM-64Mbit 24FBGA
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：36ns
访问时间：36 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

3、S27KL0642DPBHA020 IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：36ns
访问时间：36 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

4、S27KL0642DPBHI020 IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
存储器类型：易失
存储器格式：PSRAM
技术：PSRAM（伪 SRAM）
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：HyperBus
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：36ns
访问时间：36 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）

三、关键特性

• 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间
• 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本
• 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效
• 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能

四、引脚配置

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