NTMFS4C810NAT3G场效应管30V NCH,DEC1515H-D0-I/Z2集成电路TQFP

产品参数
1、型号：DEC1515H-D0-I/Z2
封装：TQFP128
批次：新年份

2、型号：NTMFS4C810NAT3G
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：987 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

特性
低RDS(on)以最小化传导损失
低电容，减少驱动器损耗
优化门充电以最小化开关损耗
这些设备是无铅，无卤/无BFR，是RoHS兼容的
应用
CPU供电
DC−DC转换器

如您对“NTMFS4C810NAT3G场效应管30V NCH、DEC1515H-D0-I/Z2 TQFP128 集成电路”感兴趣的话，欢迎联系我。