IRF7480MTRPBF晶体管和AT90PWM81OS-B16MNR，DSPIC33EP64GS504-I/ML微控制器

1、IRF7480MTRPBF晶体管  场效应MOS管

规格

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：217A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 132A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：185nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6680pF @ 25V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DirectFET™ Isometric ME
封装/外壳：DirectFET™ Isometric ME

 

2、AT90PWM81OS-B16MNR  8位微控制器 -MCU 芯片

规格：抱歉，此型号网上暂时无法查询到更多相关信息

 

3、DSPIC33EP64GS504-I/ML 微控制器

一般规格

核心处理器：dsPIC
内核规格：16 位
速度：70 MIPs
连接能力：I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART
外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
I/O 数：35
程序存储容量：64KB（64K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：8K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：3V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 19x12b; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：44-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：44-QFN（8x8）

以上就是今天要分享的IRF7480MTRPBF晶体管和AT90PWM81OS-B16MNR，DSPIC33EP64GS504-I/ML微控制器产品规格，如需要产品货源的，请直接联系明佳达。

发布者：深圳市明佳达电子（我们只出售芯片，不提供任何技术支持，望周知）

 

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