ISPLSI2064VE100LTN100，ISPLSI2064VE-100LTN100单片机和MR25H40CDFR存储器

1、ISPLSI2064VE100LTN100，ISPLSI2064VE-100LTN100 复杂可编程逻辑器件

产品规格

可编程类型：系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值：10ns
供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V
逻辑元件/块数：16
宏单元数：64
栅极数：2000
I/O 数：64
工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP
供应商器件封装：100-TQFP（14x14）

2、MR25H40CDFR 非易失存储器 DFN-8封装

中文规格

 

存储器类型：非易失
存储器格式：RAM
技术：MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量：4Mb （512K x 8）
存储器接口：SPI
时钟频率：40MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：3V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP，小标志（5x6）

上述产品规格均来源于网络，内容非原创，仅供参考。

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发布者：深圳市明佳达电子