L26-DR模块 / GD1200SGT120A3S IGBT模块，C2M0040120D 晶体管 1200V

1、L26-DR模块

2、 IGBT模块：GD1200SGT120A3S

额定电压：1200V
额定电流：1200A
电路结构：单
芯片系列：IGBT中功率电源模块

3、C2M0040120D 晶体管 1200V

参数

FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：115nC @ 20V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1893pF @ 1000V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：330W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3

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发布者：深圳市明佳达电子