存储器分类

2.存储器分类2023-12-03

存储器分类
- 按存储介质分类
  - 半导体存储器 TTL、MOS 易失
  - 磁表面存储器磁头、磁载体
  - 磁芯存储器硬磁材料、环状元件
  - 光盘存储器
- 按存取方式
  - 存取时间与物理地址无关（随机访问）
    - 随机存储器 RAM
    - 只读存储器 ROM
  - 存取时间与物理地址无关（串行访问）
    - 顺序存取存储器磁带
    - 直接存取存储器磁盘
- 按在计算机中的作用
存储器的层次结构
- 缓存与主存为解决速度问题，主存和辅存为了解决容量问题
主存储器
- 基本组成
- - MDR 主存随机寄存器 MAR 主存地址寄存器
- 与CPU的联系
- 存储单元地址分配
  - 两个十六进制数就是一个字节
- 主存技术指标
  - 存储容量存放二进制代码的总位数
  - 存储速度
    - 存取时间
    - 存取周期连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间
- 主存储器——半导体芯片简介
  - 地址线单向数据线双向
  - 片选线 CS、CE（上面有横，表示低电平有效），可以让某些芯片同时工作
    
    读写控制线
  - 半导体存储芯片的译码驱动方式
    - 对容量大的芯片不合适，有一个译码器译码
- 主存储器——随机存取存储器（重要）
  - 静态RAM
    - 保存0和1的原理：利用双稳态触发器
  - 动态RAM
    - 保存0和1的原理：利用电容
    - 单管动态RAM4116（16K*1）
    - 动态RAM刷新以128\times128 $128×128128\times128128×128为例$
      - 刷新仅与行地址有关
      - 集中刷新（存取周期为0.5微秒，此时称为死区）
      - 分散刷新（存取周期为1微秒，无死区，但存取周期延长）
      - 异步刷新（存取周期0.5微秒，每隔15.6微秒刷新一行）
  - 只读存储器（ROM）
    - MROM
      - 厂家直接编写，用户不能改变
      - 行列交叉处有MOS管为“1”
    - EPROM（多次性编程）
      - 紫外线全部檫洗