俄语：电路

电路 ИСКУССТВО СХЕМОТЕХНИКИ

上次更新：2021年07月19日。

目录

基本 ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

俄文 中文 注释
напряжение 电压 U, 单位为俄文 В
ток 电流
сила тока 电流大小 I, 单位为俄文 А
сопротивление 电阻 R, 单位为俄文 Ом
резистор 电阻器
закон Ома 欧姆定律
мощность 功率 P мощность - это работа, совершённая за единицу времени
ёмкость 电容 C
конденсатор 电容器
индуктивность 电感 L
трансформатор 变压器
источник тока 电流源
источник напряжения 电压源
питание 电源
падение напряжения + на + 6 电压降 Падение напряжения на светодиоде принять равным 3 в. LED 上的电压降为 3 v。
Номинальный ток 额定电流
диод 二极管 анод 阳极； катод 阴极
сигнал 信号
цепь, схема 电路
фильтр 滤波器
лампа 灯
светодиод LED
транзистор 晶体管 Коллектор 集电极;База 基极; Эмиттер 发射极
полевой транзистор (ПТ) 场效应管 Сток 漏极; Затвор 栅极; Исток 源极
Операционный усилитель (ОУ) 运放

условное графическое обозначение(УГО) 和 электрическая схема 的区别：

比如半加器Полусумматор的УГО是

但它的электрическая схема是

（此处图片有误，输出P应为与门）

单位

Множитель Приставка Обозначение
\(10^{12}\) тера Т
\(10^{9}\) гига Г
\(10^{6}\) мага М
\(10^{3}\) кило К
\(10^{-3}\) милли м
\(10^{-6}\) микро мк
\(10^{-9}\) нано н
\(10^{-12}\) пико пк
\(10^{-15}\) фемто ф

模拟电路 Аналоговые Схемы

电阻串联 Сопротивление двух последовательно соединенных резисторов равно \(R=R_{1}+R_{2}\)

电阻并联 Сопротивление двух параллельно соединенных резисторов равно \(R=\frac{R_{1}R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\)

Теорема об эквивалентном преобразовании источников(Теорема Тевенина) 戴维南定理

Диод 二极管:

анод 阳极 катод 阴极

зенеровский диод (стабилитрон) 齐纳二极管

Туннельный диод 隧道二极管

Сигнал 信号:

Треугольный сигнал 三角波

Прямоугольный сигнал 方波

импульс 脉冲

Синусоидальный сигнал 正弦波

Импеданс 阻抗：

电阻 \(Z=R\)

电容 \(Z=-\frac{j}{\omega C}\)

电感 \(Z=j\omega L\)

RС-цепь RC电路:

Дифференцирующая цепь 微分电路

Интегрирующая цепь 积分电路

RС-фильтр RC滤波器:

фильтр высоких частот 高通滤波器

фильтр низких частот 低通滤波器

полосовой фильтр 带通滤波器

заграждающий фильтр 带阻滤波器

Транзистор 晶体管：

Коллектор 集电极;База 基极; Эмиттер 发射极

усилительный каскад с общим коллектором 共集电极放大电路：

Эмиттерный повторитель 射极跟随器。истоковый повторитель 源极跟随器。

дифференциальный усилитель 差动放大器

Транзисторный дифференциальный усилитель 晶体管差分放大电路

Составной транзистор复合晶体管:

达林顿管：Транзистор Дарлингтона

Транзистор Шиклаи(??)

фазорасщепитель 分相器：

фазорасщепитель на биполярном транзисторе 由双极晶体管构成的分相器（如下图）

токовое зеркало 镜像恒流源（电流镜）：

Полевой транзистор(ПТ) 场效应管:

Сток 漏极; Затвор 栅极; Исток 源极

напряжение затвор-исток 栅源电压，写作Uзи

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом 结型场效应管(JFET)

n-канальный N沟道(形容词，直接放单词前面)

p-канальный P沟道

Полевые транзисторы с изолированным затвором 绝缘栅型场效应管

встроенный канал 耗尽型(用c+5格表示)

индуцированный канал 增强型

比如：n-канальный полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом

Операционный усилитель(ОУ) 运放：

обратная связь (ОС)反馈

Компартор напряжений 电压比较器

Неинвертирующий усилитель 同相放大器

Инвертирующий усилитель 反相放大器

Повторитель напряжения 电压跟随器

Инвертирующий сумматор напряженийй 反向加法器

Вычислитель напряжений 减法器

Диффернциатор 微分器

Интегратор 积分器

如图所示：

Триггер Шмитта 施密特触发器

Фильтр 滤波器：

активный фильтр 有源滤波器

пассивный фильтр 无源滤波器

Частотная характеристика АС-фильтров 交流滤波器的频率响应

Временная область 时域

Фильтры Баттерворта и Чебышева. 巴特沃斯和切比雪夫滤波器

数字电路 Цифровые Схемы

Логическое состояние 逻辑状态

Высокий и низкий уровни 高低电平

Высокий уровень 高电平

Низкий уровень 低电平

таблица истинности 真值表

Карта Карно 卡诺图

Младший значащий разряд (МЗР) 最低有效位(LSB）

Старший значащий разряд (СЗР) 最高有效位(MSB)

电平：

ТТЛ(транзисторно-транзисторная логика) TTL(5V)

КМОП(комплементарные МОП-структуры) CMOS(3.3V)

Вентиль 门：

вход - входы 输入

выход - выходы 输出

Вентиль И 与门

Вентиль ИЛИ 或门

Инвертор（或 Вентиль НЕ）非门

Вентиль И-НЕ 与非门

Вентиль ИЛИ-НЕ 或非门

Вентиль Исключающее ИЛИ 异或门

Комбинационная логика 组合逻辑：

Мультиплексор 多路复用器(MS) 8-входовый мультиплексор 8输入多路复用器

Демультиплексор 解复用器(DMS)

Шифратор 编码器 Приоритетный шифратор 优先编码器

Дешифраторы 译码器

Последовательностная логика 时序逻辑：

Тактирование(ТАКТ) 时钟

триггер 触发器

асинхронный 异步

синхронный 同步 синхронный RS-триггер 同步RS触发器即为JK触发器

установка(уст.) = set 置位

сброс = reset 复位

хранение 保持

\(Q_{n+1}=Q_{n}\) 可表示为 состояние выхода не изменится

где \(Q_{n+1}\) состояние выхода Q после подачи (n + 1)-го тактового импульса, а \(Q_{n}\)— до его поступления.

RS触发器的R和S均为1，可表示为Неопределённое состояние未定义的状态

Время установления данных 建立时间(tуст)

Время удержания 保持时间(tуд)

триггер со статическим управлением 或 статический триггер 电平触发器

триггер с динамическим управлением 或 динамический триггер 边沿触发器

(асинхронный) RS-триггер RS触发器（R为1置0，S为1置1）（下图为或非门）

синхронный RS-триггер 同步RS触发器：

JK-триггер JK触发器（J为1 K为0置1，J为0 K为1置0，JK均为1翻转（即为счётный режим триггера计数模式）） \(Q_{n+1}=J\bar{Q_{n}}+\bar{K}Q_{n}\)

D-триггер D触发器（输出置为D）\(Q_{n+1}=D\)

T-триггер T触发器（T为1翻转，0保持）\(Q_{n+1}=T\bar{Q_{n}}+\bar{T}Q_{n}\)

Полусумматор 半加器(HS)

Полный сумматор 全加器(SM)

Регистр 寄存器：

регистр памяти

регистры сдвига:

универсальные регистры

Классификация регистров 寄存器分类：？？

  1. накопительные (регистры памяти, хранения)

  2. сдвигающие. В свою очередь сдвигающие регистры делятся:

  3. по способу ввода-вывода информации на:

    • параллельные,

    • последовательные,

    • комбинированные; по направлению передачи информации на: • однонаправленные,

    • реверсивные.

ПМЛ – программируемая матрица логики 可编程逻辑阵列(PAL)

счётчик 计数器

Динамическое оперативное запоминающее устройство(ДОЗУ) = DRAM

адрес 地址

адрес столбца 列地址

адрес строки 行地址

дополнительный код 补码

印制电路板的设计和技术 ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ

Печатная плата (ПП) 印制电路板(PCB)

分类：
Односторонняя печатная плата (ОПП) 单面印制板

Двусторонняя печатная плата (ДПП) 双面印制板

Многослойная печатная плата (МПП) 多层印制板

Гибкая печатная плата (ГПП) 挠性印制板

Конструкция 结构：

Диэлектрическое основание 绝缘基板

Проводящий рисунок 导体图形

Отверстие 过孔(via)

контактная площадка 焊盘(pad)

Маркировка 标记图形

Паяльная маска 阻焊剂(Solder Mask)

Слой 层(Layer)

电路板的参数：

ширина 宽度

зазор 间隔

диаметр 直径

толщина 厚度

Нп – толщина печатной платы 电路板厚度

下图中：

t - ширина проводников;

S - зазор между элементами рисунка;

D - диаметр контактной площадки;

d - диаметр отверстия;

b - гарантированный поясок.

孔的类型：

Сквозное отверстие 通孔

Сквозное металлизированное отверстие 金属化导通孔

Глухой микропереход 盲孔

Скрытый микропереход 埋孔

Изготовление ПП 电路板制作（这里本人并不熟悉电路板的制作工艺，所以基本只是把俄文书上的内容复制下来，没有翻译）：

Существует два вида технологии получения проводящего рисунка ПП и слоев ОМПП: 有两种基本方法获得电路板的导电图形

• на основе субтрактивных методов; 基于减成法

  1. Получение заготовки из одностороннего фильгированного диэлектрика.
  2. Нанесение защитного рельефа схемы(маски)
  3. Травление меди с пробельных мест
  4. Удаление маски
  5. Пробивка отверстий

• на основе аддитивного метода. 基于加成法

  1. Получение заготовки из нефольгированного материала
  2. Сверление отверстий
  3. Нанесение защитного рельефа схемы(маски)
  4. Толстослойное химическое меднение
  5. Удаление маски

Основными методами изготовления ОПП на жестком фольгированном основании являются:

• химический негативный; • химический позитивный.

Полуаддитивный метод 半加成法

一些操作：

Нанесение 添加

Удаление 去除

Сушка 烘干

Сверление отверстий 钻孔

Травление меди 蚀刻

металлизация 金属化

Электрохимическая металлизация 电化学金属化

Промывка

Отмывка +2 洗去

защитный рельеф (是啥??)

флюс 助焊剂

Тентинг-метод 或 метод образования завесой负片法：

  1. Получение заготовки
  2. Сверление отверстий
  3. Химическая и гальвнаническая металлизация поверности ДПП и стенок отверстий
  4. Нанесение сухого пленочного фоторезиста(СПФ) 覆盖干膜光刻胶
  5. Получение защитного рельефа фотохимическим способом
  6. Травление меди с пробельных мест
  7. Удаление защитного рельефа

Основные этапы химического позитивного метода изготовления ОПП:

  1. Получение заготовки
  2. Подготовка поверхности
  3. Получение защитного рельефа на пробельных участках
  4. Нанесение металлорезиста на проводники
  5. Удаление защитного рельефа
  6. Травление меди с пробельных мест
  7. Сверление или пробивка отверстий 钻孔
  8. Вырубка по контуру и получение крепежных отверстий

Основные этапы ТП изготовления ДПП комбинированным позитивным методом (8МОТЬ- н 8МОВ8-процессы):

  1. Получение заготовки

  2. Получение фиксирующих отверстий

  3. Получение монтажных и переходных отверстий

  4. Металлизация предварительная

  5. Подготовка поверхности

  6. Получение защитного рельефа

  7. Электрохимическая металлизация

  8. Удаление защитного рельефа

  9. Травление меди с пробельных мест с удалением травильного резиста

  10. Нанесение паяльной маски

  11. Нанесение покрытия на участки проводящего рисунка, свободные от маски

  12. Отмывка флюса

  13. Получение крепежных отверстий и обработка по контуру

  14. Промывка

参考文献

  1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. - М.: БИНОМ, 2014.
  2. Пирогова Е.В. Проектирование и технология печатных плат. Учебник - М., Форум:ИНФРА-М, 2005, 560 с. (Высшее образование)
  3. 金鸿, 陈森. 印制电路技术[M]. 化学工业出版社, 2003.
posted @ 2021-07-03 11:42  mariocanfly  阅读(781)  评论(0)  编辑  收藏  举报