【转】DDR布线前的准备工作

第一步，确定拓补结构（仅在多片DDR芯片时有用）

首先要确定DDR的拓补结构，一句话，DDR1/2采用星形结构，DDR3采用菊花链结构。

拓补结构只影响地址线的走线方式，不影响数据线。以下是示意图。

第二步，元器件摆放

确定了DDR的拓补结构，就可以进行元器件的摆放，有以下几个原则需要遵守：

原则一，考虑拓补结构，仔细查看CPU地址线的位置，使得地址线有利于相应的拓补结构

原则二，地址线上的匹配电阻靠近CPU

原则三，数据线上的匹配电阻靠近DDR

原则四，将DDR芯片摆放并旋转，使得DDR数据线尽量短，也就是，DDR芯片的数据引脚靠近CPU

原则五，如果有VTT端接电阻，将其摆放在地址线可以走到的最远的位置。一般来说，DDR2不需要VTT端接电阻，只有少数CPU需要；DDR3都需要VTT端接电阻。

原则六，DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚

以下是DDR2的元器件摆放示意图（未包括去耦电容），可以很容易看出，地址线可以走到两颗芯片中间然后向两边分，很容易实现星形拓补，同时，数据线会很短。

以下是带有VTT端接电阻的DDR2元器件摆放示意图，在这个例子中，没有串联匹配电阻，VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远距离。

以下是DDR3元器件摆放示意图，请注意，这里使用的CPU支持双通道DDR3，所以看到有四片（参考设计是8片）DDR3，其实是每两个组成一个通道，地址线沿着图中绿色的走线传递，实现了菊花链拓补。地址线上的VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远的地方。同样地，数据线上的端接电阻也放置在了靠近DDR3芯片的位置，数据线到达CPU的距离很短。同时，可以看到，去耦电容放置在了很靠近DDR3相应电源引脚的地方。

第三步，设置串联匹配电阻的仿真模型

摆放完元器件，建议设置串联匹配电阻的仿真模型，这样对于后续的布线规则的设置是有好处的。

点击Analyze->SI/EMI Sim->Model Assignment，如下图。

然后会出来Model Assignment的界面，如下图

然后点击需要设置模型的器件，通常就是串联匹配电阻，分配或创建合适的仿真的模型。

分配好仿真模型之后的网络，使用Show Element命令，可以看到相关的XNET属性，如下图。

第四步，设置线宽与线距

1. DDR走线线宽与阻抗控制密切相关，经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路，完全有条件针对高速线做单端阻抗控制；但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止，本人设计的混合电路产品中，最高规格的DDR是DDR2-800，未作阻抗控制，工作一切正常。

2. DDR的供电走线，建议8mil以上，在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定，我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件，并为所有电源网络分配这一约束条件，如下图。