M57962

1. IGBT驱动电路M57962L的引脚排列及主要性能参数
M57962L IGBT驱动器的印制电路及外壳用环氧树脂封装，共有14个引脚，其外形与引脚排列如下图所示。

M57962L IGBT驱动器的引脚功能见下表：

M57962L的主要参数见下表：

2. 内部结构
M57962L是日本三菱公司生产的专门用于驱动IGBT模块的驱动器，它的内部集成了退饱和、检测和保护单元，当发生过电流对能快速响应，但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。它输出的正驱动电压为+15V，负驱动电压为-10V。其内部结构方框图如下图所示，它由光电耦合器、接口电路、检测电路、定时复位电路以及门关断电路组成。M57962L是N沟道大功率IGBT模块的驱动电路，能驱动600V/400A和1200V/400A的IGBT。M57962L具有以下几个特点。文章来源：http://www.igbt8.com/qd/184.html

1) 采用快速型光电耦合器实现电气隔离，适合20kHz左右的高频开关运行，光电耦合器的原边已串联限流电阻（约185Ω），可将5V的电压直接加到输入侧，具有较高的输入、输出隔离度(Uiso=2500V，有效值)。
2) 采用双电源供电方式，以确保IGBT可靠通断。如果采用双电源驱动技术，其输出负栅压比较高。电源电压的极限值为+18V/-15V，一般取+15V/-10V。
3) 内部集成了短路和过流保护电路。M57962L的过流保护电路通过检测IGBT的饱和压降来判断是否过流，一旦过流，M57962L将对IGBT实施软关断，并输出过流故障信号。
4) 输入端为TTL门电平，适于单片机控制。信号传输延迟时间短，低电平转换为高电平的传输延迟时间以及高电平转换为低电平的传输延迟时间都在1. 5us以下。

3．应用电路
采用M57962L驱动器驱动IGBT模块的实际应用电路如下图所示。当IGBT模块过载（过压、过流），集电极电压上升至15V以上时，隔离二极管VD1截止，M57962L的①脚为15V高电平，则将M57962L的⑤脚置为低电平，使IGBT截止，同时将⑧脚置为低电平，使光电耦合器工作，以驱动外接电路将输入端⑩脚置为高电平。稳压二极管ZD1用于防止VD1击穿而损坏M57962L。Rext为限流电阻，ZD2、ZD3组成限幅器，以确保IGBT的基极不被击穿。

M57962L在驱动大功率IGBT模块时的典型电路如下图所示。在所示电路中，NPN和PNP晶体管构成电压提升电路。该晶体管选用快速晶体管(tf≤200ns)，并且要有足够的电流增益以承载需要的电流。在使用M07962L驱动大功率IGBT模块时，应注意以下两个方面的问题。

1) 驱动芯片的最大输出电流峰值受栅极电阻RG的最小值限制。例如，对于M57962L来说，RG的允许值在5Ω左右，这个值对于大功率的IGBT来说高了一些，且当RG较高时会引起IGBT的开关上升时间tdon、下降时间tdoff以及开关损耗的增大。在较高开关频率（5kHz以上）下应用时，这些附加损耗是不可接受的。即使是这些附加损耗和较慢的开关时间可以被接受，驱动电路的功耗也必须考虑。当开关频率高到一定程度时(高于14kHz)．会引起驱动芯片过热。
2) 驱动电路缓慢地关断会使大功率IGBT模块的开关效率降低，这是因为大功率IGBT模块的栅极寄生电容相对比较大，而驱动电路的输出阻抗不够低。另外，驱动电路缓慢地关断还会使大功率IGBT模块需要较大的吸收电容。