2013年8月8日

统一编址 独立编址 寻址空间

摘要: 概念存储器统一编址,即从存储空间中划出一部分地址给I/O端口。CPU访问端口和访问存储器的指令在形式上完全相同,只能从地址范围来区分两种操作。优点对端口操作的指令类型多,功能全,不仅能对端口进行数据传送,还可以对端口内容进行算术逻辑运算和移位运算;其次是有较大的编址空间;缺点端口占用存储器的地址空间,使存储器的可用地址空间变小;端口指令的长度增加,执行时间变长;由于访问I/O与访问内存的指令一样,在程序中不易分清楚是访问I/O端口还是访问内存,使得阅读困难;端口地址译码器较复杂独立编址在不同的微机系统中,I/O端口的地址编排有两种形式:存储器统一编址和I/O独立编址。I/O独立编址I/O端口编 阅读全文

posted @ 2013-08-08 12:55 lwp513 阅读(601) 评论(0) 推荐(0) 编辑

SDRAM工作过程

摘要: SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步动态随机存储器)的简称,它将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM和CPU能够共享一个钟周期,以相同的速度同步工作,从而解决了CPU和RAM之间的速度不匹配问题,避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间,可加快数据的传输速度。:启动初始化:1、同时启动设备核心电源VDD和设备I/O电源VDDQ。声明并维持CKE引脚为高电平(CKE引脚为ClockEnable,时钟使能信号,高电平表示启动内部时钟信号)。2、等到VDD和VDDQ稳定后并且CKE设为高电平,应用稳定时钟。3 阅读全文

posted @ 2013-08-08 12:09 lwp513 阅读(725) 评论(0) 推荐(0) 编辑

s3c2440的内存管理机制

摘要: 1. Nand Flash、Nor Flash、SDRAM地址区别Nand Flash:ROM,容量大,适用于数据存储,ARM不能从Nand中直接启动,需要把程序从Nand的前4k空间中拷贝到SDRAM,然后再从SDRAM中启动。Nor Flash:ROM,容量小,适用于程序存储,ARM可以从Nor Flash中直接启动。SDRAM: RAM,容量大,操作系统等大型软件都运行在SDRAM中。2. S3c2440寻址空间:S3C2440有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设。 阅读全文

posted @ 2013-08-08 11:55 lwp513 阅读(407) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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