摘要： 首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑 Bank（LogicalBank，下面简称Bank）。DDR3内部Bank示意图，这是一个NXN的阵列，B代表Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2 阅读全文

摘要： 随着AMD AM2平台CPU的上市，目前两大处理器巨头均提供了对DDR2内存的支持。不过，DDR2远不是内存技术发展的终点，CPU和内存厂商已经在着手进行DDR3内存的相应准备。DDR2内存的好日子还没过上几天，它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象。DDR3内存已经面世 在本届Computex 2006台北展会上，威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存。威刚此次展示的vitesta DDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR3-1333两种规格，单条容量均为1GB，针脚数240，核心电压1.5+/-0.1V，延迟设定为CL7。虽然DDR3与DDR2一样存在高延迟的缺点. 阅读全文

摘要： 以下是EDD5116AFTA数据手册的摘录。不过看过了还是不太明白二者的区别。self-refresh:Self-refresh entry [SELF]This command starts self-refresh. The self-refresh operation continues as long as CKE is held low. 只要CKE为低就开始自刷新/During the selfrefresh operation, all ROW addresses are repeated refreshing by the internal refresh controller 阅读全文