Spice模型和IBIS模型的区别

Spice模型的特点
Spice模型是进行电路级仿真的。电流，电压，电容等节点的具体参数是从元器件图形、材料特性得来，是建立在低级数据的基础上，每个BUFFER中的元器件分别被描述和仿真。
仿真模型包含了详细的芯片内部设计信息。
但仿真速度比较慢，只适用于电路级的设计者。

IBIS模型的特点
IBIS模型是进行系统级仿真的。电流，电压，时间等BUFFER的关键节点关系建立在U-I或者U-t数据曲线上。
仿真模型没有包含电路细节，不包括芯片内部的设计信息。
仿真速度快，适合系统级仿真，高速互联仿真。

两种模型的渊源。
在IBIS出现以前，大家还是使用晶体管级的Spice模型进行系统的仿真，但是这种方法有以下三方面的问题：
首先结构化的Spice模型只适用于元器件和网络比较少的小规模系统仿真，借助这种方法设定系统的设计准则或者对一条实际的网络进行最坏情况的分析；
其次想要得到元器件的结构化模型比较困难，因为元器件厂家不愿意提供包含内部电路设计和制造工艺的Spice模型；
再者各个商业化的Spice软件互不兼容，一个厂商提供的Spice模型可能不能在另一个Spice仿真软件上跑起来。
因此人们需要一种既能够避免以上缺陷的，又能准确描述元器件的电气特性，还能普遍被够被业界认可的“黑盒”式的仿真模型。那么IBIS模型就应运而生了。

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