04 2013 档案
摘要：在编译内核的时候，一般直接使用makeuImage是不可以的，会出现时一下错误UIMAGEarch/arm/boot/uImage"mkimage"commandnotfound-U-BootimageswillnotbebuiltImagearch/arm/boot/uImageisready很容易理解没有mkimage，不能生成uImage，下面来讲一下mkimage。使用makeuImage编译生成的内核能由uboot引导，编译时会用到mkimage工具，出现这种错误是因为编译器无法找到mkimage工具，该工具在uboot/tools目录下，以下两种方法可以解决问题
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摘要：mkimage制作linux内核映像 即uImage是怎么制作的2012-08-26 17:11:35分类：Delphibootm命令是用来引导经过u-boot的工具mkimage打包后的kernel image的，什么叫做经过u-boot的工具mkimage打包后的kernel image，这个就要看mkimage的代码，看看它做了些什么，虽然我很希望大家不要偷懒，认真地去看看，但是我知道还是有很多人懒得去做这件，那么我就j将分析mkimage代码后得到的总结告诉大家，mkimage做了些什么，怎么用这个工具。mkimage的用法uboot源代码的tools/目录下有mkimage工具，这个
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摘要：由于NandFlash硬件升级比较快，公司去年一直在使用三星的K9GAG08U0D，现在MLC NandFlash 升级到了第二代，K9GAG08U0D 很快就会处在停产的状态，未雨绸缪，公司选型了K9GAG08U0E 来替代原有的NandFlash芯片。起初。本以为把新Nandflash ID信息增加到Uboot 和 Linux内核的NandFlash ID 列表文件中即可，也就是Uboot 和Linux源码中的nand_ids.c 文件中，但是仔细看了K9GAG08U0E 的DataSheet，发现自己的想法错了。下面记录了NandFlash更换时面临的几个问题，及解决方法：第一个问题：I
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摘要：首先在这里我需要感谢两个人，一个是liukun，一个是2012shiyi这两个人的功劳，因为他们给了一些引导.在nand启动着一步，我卡了蛮久，今天才成功启动.版本说明：linaro_uboot_4.17_nandboot_v5.1.tar.gz是本人根据liukun和网上2012shiyi的资料研究处理的，目前这个版本能成功支持从sd和从mlc的nand flash启动。编写人：lihaiping时间：2013-4-17我移植的时候，将板子名字改为了ydzx210.没有再要tiny210V2的称呼，但我的板子是最新的tiny210板子.功能说明：能实现网卡DM9000的功能能对sd卡保存环境
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摘要：Eboot中应用NandFlash分类：WINCE bootloader开发2010-11-17 17:071218人阅读评论(1)收藏举报flashdownload存储wincebyteinterface********************************LoongEmbedded********************************作者：LoongEmbedded(kandi)时间：2010.11.17类别：WINCE bootloader开发********************************LoongEmbedded******************
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摘要：底层如何定位到oob的起始位置？中间有个细节，本来很简单清楚的，差点把自己搞晕了，那就是：对于写oob，到底底层是怎么传入参数使得定位到一个页的oob的起始位置的，然后再开始写oob数据的。结果就是，再nand_write_oob_std()中，发命令的时候，送的就是定位的起始地址：chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_SEQIN, mtd->writesize, page);其中，mtd->writesize就是页内地址，此处就是一个页大小，比如2K，页结束地址＝oob开始的位置，就可以定位到oob起始处了，后面就可以写oob数据了：chip->wr
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摘要：NAND FLASH ECC校验原理与实现2008-01-25 14:57:27转自：http://blog.csdn.net/nhczp/archive/2007/07/20/1700031.aspxECC简介 由于NANDFlash的工艺不能保证NAND的MemoryArray在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NANDFlash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NANDFlash出错的时候一般不会造成整个Block或是Pa...
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摘要：NAND Flash ECC算法长度计算收藏NAND Flash中常用的纠错方式 因为闪存中会有出错的可能，如果没有使用ECC模块，读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能，也许一个文件中只有一两个bit不匹配，这也是不能容忍 的。相对来说SLC中出错概率比较低，所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了，在MLC中Hanming码就显得力不从心了，需要纠错能力 更强的RS或者BCH纠错方式了。 BCH擅长处理随机错误，由于NAND Flash自身的特点，出现随机错误的概率更大一些，所以在MLC中目前应用最多的还是BCH方式。 ECC校验都需要在增加一些额外的空间来存放ECC效验码。所以
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摘要：mov指令的操作数的取值范围到底是多少关于mov指令操作数的取值范围，网上看到一些人说是0x00-0xFF,也有人说是其他的值的，但是经过一番求证，发现这些说法都不对。下面就是来详细解释，mov指令的操作数的取指范围，到底是多少。在看了我说的，关于这行代码：mov r0, 0x33d00000复制代码的源操作数0x33d0000，可能是mov指令所不允许的，这句话后，可能有人会说，我知道，那是因为mov的操作数的值，不允许大于255,至少网上很多人的资料介绍中，都是这么说的。对此，要说的是，你的回答是错误的。关于mov操作数的真正的允许的取值范围，还真的不是那么容易就能搞懂的，下面就来详细解释
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摘要：NandFlash详述2012-03-17 12:49:59|分类：ARM硬件接口|字号订阅转自：http://www.cnblogs.com/sankye/articles/1638852.html想念东北的下雪的冬天1.硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的
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摘要：内核的nand flash驱动真可谓用“日新月异”来形容，今儿个刚写完的驱动，等到明天下个新内核放进去，又不好使了。这里讨论下struct nand_ecclayout，即nand 的ecc布局问题，基于2.6.32-rc2.该结构体定义如下：struct nand_ecclayout {uint32_t eccbytes; //表示使用几个ecc字节uint32_t eccpos[128]; //表示ecc占用的位置，因为现在大页面4kbyte也就128个，所以这里写了128， //以后有更大页面的，这里也要改了。uint32_t oobavail; ...
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