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在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X 阅读全文
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片式固定电阻器，从Chip Fixed Resistor直接翻译过来的，俗称贴片电阻(SMD Resistor),是金属玻璃铀电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。耐潮湿， 高温， 温度系数小。 (注：以下片式固定电阻器皆叫做贴片电阻 ) 贴片电阻分类 贴片 阅读全文
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贴片电容 全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。 基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5 阅读全文
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一：贴片电阻封装尺寸与功率关系,通常来说:0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W 二：贴片电阻电容外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2 阅读全文
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作者听过这样一种说法，DDR的历史，就是一个SI技术变革的过程，说白了就是拓扑与端接之争。DDR2使用的是T拓扑，发展到DDR3，引入了全新的菊花链—fly-by结构。使用fly-by并不完全因为现在的线路板越来越高密，布局空间越来越受限，主要原因还是DDR3信号传输速率变得更快了，T型拓扑已经不能 阅读全文
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1. 电源 DDR的电源可以分为三类A.主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电 阅读全文
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背景：为统筹电路设计较全面的知识点，本人将在近期推出电路设计中各种常用器件与设计理念，如基本元器件电阻、电容、电感、二极管保护，存储器件SDRAM、FLASH，PCB设计工艺DCDC电源、PCB板布线设计工艺等，希望能为大家提供些许参考。 在电路设计中，经常需要使用匹配电阻，如闭路电视同轴电缆、时钟 阅读全文
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一、串联端接方式 靠近输出端的位置串联一个电阻，要达到匹配效果，串联电阻和驱动端输出阻抗的总和应等于传输线的特征阻抗Z0。 二、并联端接方式 并联端接又叫终端匹配，要达到阻抗匹配的要求，端接的电阻应该和传输线的特征阻抗Z0相等。 三、AC并联端接 并联端接为消除直流功耗，可以采用如下所示的AC并联端 阅读全文
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信号反射是信号完整性中一个最基本的问题（因为阻抗不匹配产生反射波）。串联端接是高速电路设计中是抑制信号反射最常用的措施。采用多大的端接电阻可以有效的解决信号反射的问题，通常采用仿真的方法来解决。也许你在做信号完整性仿真的时候会发现一个非常有趣的现象：串联端接电阻的阻值大小会影响到接收端波形上升沿的的 阅读全文
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1概述 当今计算机系统DDR3存储器技术已得到广泛应用，数据传输率一再被提升，现已高达1866Mbps.在这种高速总线条件下，要保证数据传输质量的可靠性和满足并行总线的时序要求，对设计实现提出了极大的挑战。 本文主要使用了Cadence公司的时域分析工具对DDR3设计进行量化分析，介绍了影响信号完整 阅读全文