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随笔分类 - ICCII
TSMC iRCX 数据格式
摘要：台积电（TSMC）公司日前开发了名为iRCX的EDA数据格式，用于台积电65纳米和40纳米工艺技术的互联模型。该EDA工具支持iRCX格式，能从iRCX格式的文件中读取准确的互联模型数据。台积电公司表示，这种的EDA数据，可用在与互联相关的应用中，如布局布线、RC参数提取、电迁移分析、电源完整性分析
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ITF TLUPLUS nxtgrd
摘要：1. itf: interconnect technology format file ；找foundary 要 tlu+: table look up plus for ICC & Astro nxtgrd:(nxtgrd which consists of capacitance models)
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module load/rm
摘要：https://blog.csdn.net/l471094842/article/details/90728411 Envrionment modules工具用来快速的设置和修改用户编译运行环境。 Envrionment modules通过加载和卸载modulefile文件可直接改变用户的环境变量，
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更换ICC2图形界面主题
摘要：主页面->View->Preferences->Style Settings->theme默认为light，另外一个主题是dark。
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对net的物理约束总结
摘要：skiping route： 命令：set_attribute -object $net -name physical_status -value locked 没有类似于set_dont_touch之类的直接命令来设置skip route，而是通过一个叫physical_status的属性来设置。
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Legalizer的演进史(一)
摘要：第一层 在28nm及更老的工艺，legalizer要做的事情就是把stdcell放在row上，不要overlap with row。作为完美主义的我，必须指出，放在row上不够，确切的说是放在unit tile上。所以那时候，一个R&D就可以轻松搞定整个的legalizer代码，据说他还经常去度假，
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SDC是如何炼成的？Exception篇 - 附MCP电路实现方法及命令优先级实例
摘要：讲述SDC中的各式各样的Exception，大体上可以分为“加严”和“放松”两种类型，如下面几个命令： ##更严格##set_max_delayset_min_delayset_data_check...##更放松##set_false_pathset_multicycle_pathset_case
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数字IC后端时钟树综合专题（OCC电路案例一）
摘要：一.OCC缘由 何为全速测试(at speed test)：在工艺节点在130nm以下的时候，很多情形下的物理缺陷都是由于延时来引起的。 因此在对这种类型的chip做dft的时候，需要建立一个新的故障模型，业内称之为延时故障模型（time delay model）。 解决的方法就是全速测试，所谓的全
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DDR接口时序实例
摘要：DDR SDRAM接口的示意图： CAC总线表示Command，Address，Control Pin，时序相对简单，单向单周期，通过以下命令约束： create_generated_clock -name DDRCLK \-source [get_pins UPLL0/CLKOUT] \-divi
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SDC是如何炼成的？IO约束篇 - 附Top和Block实战经验
摘要：From 老本 Benjamin RTL2GDS IO约束在顶层和模块级的主要命令都是以下几个，但是实际应用的复杂程度不可同日而语，本篇会先介绍模块级IO约束实战经验，然后讲解顶层IO约束复杂性，过程中会介绍DDR接口时序。 set_input_delayset_output_delayset_dr
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SDC是如何炼成的？时钟定义篇 - 附create_generated_clock花式定义方法！
摘要：From: 老本 Benjamin RTL2GDS 定义时钟 从最早的芯片规格定义分解出系统所需要的时钟和频率，以及各个模块需要的时钟和频率。 SoC的时钟一般是由PLL产生，然后经过时钟生成电路和分配网络，最终给具体的功能模块使用。 一般地，第三方IP供应商都会提供比较成熟的SDC，SoC集成时需
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Inbound Cell是个啥？
摘要：所有cell都被做成宽和高有一定规律的矩形，也就是所谓的标准单元。在一般工艺中，所有的标准单元的高度都和site row的高度相同或者是其整数倍，且上下边缘必定与site row重合，如下面左图所示。但是在某些尖端工艺中，出现了下面右图中的所谓Inbound Cells。 Inbound cells
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先进工艺中的Cut Metal与 Metal Extension技术
摘要：在先进工艺中，foundry使用cut metal来实现更小的end-of-line spacing，与cut metal技术相伴随的是metal extension。今天，小姐姐我希望能和大家一起学习下cut metal和metal extension，并分享一些debug相关问题的经验。 如图所
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如何控制std cell的密度？
摘要：其实，关于密度有两个说法。 一是utilization，也就是设计的利用率。一般来说，为了成本考虑，利用率能做的越高越好，也就是std cell密度越高越好。 二是在利用率确定的情况下，std cell的局部密度，也是今天要讨论的话题。 在设计的面积已经确定的情况下，std cell局部密度是越低越
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