模拟电子技术-半导体二极管

1.半导体二极管：封装的PN结。

  

  半导体二极管的类型：硅管、锗管。

2.半导体二极管的伏安特性：

  

  正向特性：

    

  反向特性：

      

  温度对半导体二极管特性的影响：

  1.当温度升高，死区电压、正向管压降降低。温度每升高摄氏1度，正向管压降降低2~2.5mV。

  2.温度升高，反向饱和电流增大。平均温度身高10摄氏度，反向饱和电流增大一倍。

  半导体二极管的主要电参数：

  1.额定整流电流IF：管子长期运行允许通过的电流平均值。

  2.反向击穿电压U（BR）：二极管能承受的最高反向电压。

  3.最高允许反向工作电压UR：UR = (1/2~2/3)U(BR)。

  4.反向电流IR：反向电压下的反向电流，越小越好。

  5.正向导通管压降。

  6.最高工作频率fM：fM与结电容有关，当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性变差。

3.半导体二极管的应用：

  在整流电路中的应用：

  整流：将交流电变成直流电的过程。

  整流电路：完成整流功能的电路。

  常见的整流电路：半波整流电路。

                  全波整流电路。

                  桥式整流电路。

  桥式整流电路：

      

  在检波电路中的应用（无线通信）：

       

  限幅电路：限制幅度

    最大电压为D1，D2导通的管压降。

  特种二极管：

  硅稳压二极管：工作在方向击穿状态（可逆电击穿）。

    动态电阻越小越好。

        

    

  变容二极管：

  PN结的电容效应：

  当二极管方向偏置时，因反向电阻很大，可以做电容使用。

  电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。