内存条分类及规格参数介绍

内存可以根据储存能力与电源的关系可以分为以下两类：

易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型：

• RAM（Random access memory，随机访问存储器）
  • DRAM（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）
  • SRAM（Static random access memory，静态随机访问存储器）

非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存储器。主要有以下的类型：

• ROM（Read-only memory，只读存储器）
  • PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）
  • EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）
  • EEPROM （Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程只读存储器）
• Flash memory（快闪存储器）

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：

单列直插内存条（SIMM）和 双列直插内存条（DIMM）

按内存的工作方式：

• FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAM
• EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
• SDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAM
• DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM

内存条性能评价指标：

• 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。
• 存取速度：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
• 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
• 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。

SDR和DDR1/2/3全系列内存对照表：

single-sided和double-sided、single-rank和double-rank

如果1根ECC DIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（单面）。如果9颗芯片分布在DIMM的两面，就叫做double-sided（双面）。作为对single-sided和double-sided的补充，DIMM还被分为single-rank和double-rank（也就是我们在内存的lable上经常能看到的1R，2R）。

2R*8----R是rank,8是内存颗粒位宽；当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个RANK。

References

http://www.360doc.com/content/11/0607/10/939554_122177662.shtml   内存频率介绍

http://wenku.baidu.com/view/5b55a47302768e9951e7385c.html single-sided/double-sided/single-rank/double-rank

http://diybbs.zol.com.cn/7/315_67201.html rank数的计算

http://www.zkvod.com/Jsjc/ShowArticle.asp?ArticleID=11 内存 bank 和rank 区别