半导体随机储存器
半导体随机储存器简介
RAM：Random Access Memory
D：Dynamic
S：Static
主储存器 【内存】 DRAM
缓存 【Cache】 SRAM 靠近CPU的区域
DRAM单位成本低于SRAM速度也慢于SRAM，DRAM使用更多的硅
DRAM 与 SRAM
- 概念与名称
| Name | Meaning |
|---|---|
| 储存元 | 存放二进制物理原件 |
| 储存单元 | 地址码相同的储存元叫做储存单元 |
| 储存体 | 储存单元的集合叫做储存体 |
- SRAM：
使用双稳态触发器，六晶体管MOS来记忆信息的。因此及时信息被读出来了以后，保持原状态而不需要再生
SRAM存取速度快，集成度比较低，工号比较大 一般用高速缓冲储存器；
- DRAM：
使用栅极电容的电荷来储存信息。DRAM基本储存元通常指使用一个晶体管。
所以他的密度要比SRAM高很多，DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行，列两次传送
DRAM优点：集成容易，位阶低，容量大，功耗低的功能；
电容上的电荷一般只能维持1～2ms，及时电源不断电，信息也会自动消失，为此每隔一段时间必须要刷新，通常选择2ms。
刷新的方式选择：
集中刷新： 在一个刷新周期内，利用一个固定的时间，对储存器的所有行进行逐一再生。
再次期间停止对储存器的读写操作，称之为死时间，访存死区
分散刷新： 对每行的刷新分散到各个工作周期，前半部分用于正常读写和保持； 后半时间用于刷新某一行。
这种刷新方式增加了系统的存取周期，例如储存芯片的存取周期0.5 us. 则系统的存取周期为1us
没有死时间，死区，但是增加了系统的存取时间；
异步刷新：结合了前面两个方法的。缩短了死时间，用分利用最大刷新时间2ms的特点。具体做法是刷新周期除以行数，
得到两次刷新的时间间隔t，利用逻辑电路每隔电路刷新一次请求。提高了整体工作效率。
刷新需要注意以下的问题：
- 刷新对CPU是透明的，刷新不依赖与外部的访问。
- 动态RAM刷新单位是行，仅仅需要行地址
- 刷新类似于读操作，仅仅是补充电荷并不信息刷出
读写周期。
| 特性 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 储存信息 | 触发器 | 电容 |
| 破坏性读出 | 非 | 是 |
| 需要刷新 | 否 | 是 |
| 送行列地址 | 同时 | 分两次 |
| 运行速度 | 快 | 慢 |
| 集成度 | 低 | 高 |
| 功耗 | 高 | 低 |
| 储存成本 | 高 | 低 |
| 主要用途 | 高速缓存 | 主机内存 |
只读储存器 ROM
ROM，RAM都是支持随机存取的储存器，其中SRAM和DRAM均为易失性半导体储存器；
ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，就算是掉电也不会丢失；
特点：
- 结构简单，所以位密度比可读可写的储存器高；
- 具有非易失性，所以可靠性高；
ROM的类型：
按照制作的工艺不同可以分成： 掩模式制度储存器MROM，一次可编程只读储存器PROM，
可擦除编程只读储存器EPROM，闪存储存器Flash Memory，固态硬盘 Solid State Drives。
| 名字 | 特点 |
|---|---|
| MROM | 内容在生产的时候直接写入，无法更改，可靠性好，便宜； |
| PROM | 一次性编程，编程器写入自己程序，写入后无法更改； |
| EPROM | 多次修改写入，分成紫外线UVEPROM，电擦E2PROM； |
| Flash Memory | 在EPROM基础上发展起来，不加电长期保存信息，又能实现在线擦出 |
| SSD | 固态电子储存芯片阵列硬盘，控制单元FLASH和储存单元。低功耗，读写快，价格高 |
