摘要: 摘自:《等离子体放电原理与材料处理》Chapter 11.8.2 阅读全文
posted @ 2021-07-13 22:34 抱树的金鱼佬 阅读(697) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自:《等离子体放电原理与材料处理》 阅读全文
posted @ 2021-07-13 21:58 抱树的金鱼佬 阅读(802) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1 阅读全文
posted @ 2021-07-13 21:47 抱树的金鱼佬 阅读(2264) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自:《等离子体放电原理与材料处理》,Chapter 1 等离子体鞘层是指等离子体与器壁或电极接触时,在两者之间形成的过渡区。由于电子跑向器壁的速率比离子大得多,使绝缘器壁相对于等离子体具有负电位,有当到达绝缘器壁的电子流等于离子流时,达到准稳状态,这时器壁的电位约为粒子的动能的量级。 阅读全文
posted @ 2021-07-13 21:35 抱树的金鱼佬 阅读(2911) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 一、为什么射频电源频率是10MHz以上? 摘自《真空镀膜技术》--张以忱,3.7.1 答:采用射频技术在基片上沉积绝缘薄膜的原理为:将负电位加在置于绝缘靶材背面的导体上,在辉光放电的等离子体中,正离子向导体板加速飞行,轰击其前置的绝缘靶材使其溅射。 但是这种溅射只能维持10-7s的时间,此后在绝缘靶 阅读全文
posted @ 2021-07-10 19:32 抱树的金鱼佬 阅读(2089) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 转自北方华创官网:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配技术和 阅读全文
posted @ 2021-07-09 15:34 抱树的金鱼佬 阅读(3814) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 【转】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程,自70年代引入用于去胶,80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。刻蚀采用的等 阅读全文
posted @ 2021-07-09 15:33 抱树的金鱼佬 阅读(3589) 评论(0) 推荐(0) 编辑